On Semi公司的NVG800A75L4DSC/D是用于汽车的750V 800A双面冷却的半桥功率模块,具有紧凑的占位面积.模块包括半桥配置的两个场截止式4(FS4) 750V窄台衬底IGBT.芯片组采用新的窄台衬底IGBT技术,以提高大电流密度和强健的短路保护能力和更高的阻断电压,为电动汽车(EV) 牵引动力提供杰出的性能.器件集成了芯片级温度和电流传感器,连续工作温度Tvj max = 175C.
>>详情电源管理,AC/DC转换器,GaN FET, TI ,TIDM-02008,
2020-10-30 14:41:52TI公司的TIDM-02008是采用C2000™ MCU和LMG341xR070600-V 70-mΩGaN FET的双向高密度GaN晶体管CCM图腾柱PFC参考设计.具有交错3.3kW单相双向无桥CCM图腾柱PFC级,100kHz脉宽调制(PWM)开关,可编输出电压,380V DC为正常输出值,峰值效率大于98%,总谐波失真(THD)小于2%,支持powerSUITE™,便于容易设计以满足用户需求,软件频率响应分析仪(SFRA)可快速测量开路增益,PWM软件起动降低TTPL PFC的零电流尖峰.软件还支持F28004x MCU的
>>详情Powerint公司的40W多输出反激转换器是四个LED驱动器,采用InnoMuxTMIMX102U和InnoSwitchTM3-MX INN3468C,由于不需要升压和降压转换器级而极大地改善了系统效率.它还简化开发和制造多个输出的电源. InnoSwitch3-MX架构是革命性,在单个IC器件集合了初级和次级控制器,高压功率开关,以及检测元件和安全的反馈机制. InnoSwitch3-MX初级控制器是准谐振(QR)反激控制器,能工作在连续导通模式(CCM),采用可变电流控制方案.初级包含抖动振荡器,
>>详情Maxim公司的MAX77831是2.5V-16V输入18W输出的高效降压-升压转换器.当采用内部反馈电阻时器件的默认输出电压是5V.当采用外接反馈电阻时,也可以配置成3V和15V间任何电压,输出电压通过I2C接口动态进行调整,而器件仅工作在增强PWM(FPWM)模式.SEL引脚允许单个外接电阻进行四个不同的I2C接口从寻址,四个不同开关电流设限阈值,一种在外接/内部反馈电阻之间选择.这四种开关电流设限阈值允许使用更小的尺寸和更小的外接元件.采用外接反馈电阻
>>详情ADI公司的ADuM4221/ADuM4221-1/ADuM4221-2是4A隔离的半桥栅极驱动器,采用ADI公司的iCouplerR技术,提供单独的和隔离的高边和低边输出.该器件组合了高速CMOS和单片变压器技术,和其它器件如脉冲变压器和栅极驱动器组合相比,具有杰出的性能,逻辑输入电压从2.5V到6.5V,和低电压系统兼容.器件具有高共模瞬态免疫150 kV/μs,工作结温125C, UL recognition per UL 1577 5700 V rms延续一分钟.主要用在开关电源,隔离的IGBT/MOSFET栅极驱动器
>>详情TI公司的DS90UB953-Q1串行化器件是FPD-LinkIII器件系列产品,支持高速原始数据传感器包括60-fps的2.3MP成像仪以及4MP, 30-fps照相机,卫星RADAR,LIDAR和飞行时间(ToF)传感器.器件提供4.16Gbps正向通路和超低等待50Mbps双向控制通路,支持单同轴电缆(PoC)或STP电缆的供电.DS90UB953-Q1具有先进的数据保护和诊断特性,支持ADAS和自主驾驭.DS90UB953-Q1还提供精密的多个照相机传感器时钟和传感器同步.DS90UB953-Q1完全是AEC-Q100资质的,工
>>详情电源管理,DC/DC转换器,汽车电子, Infineon , TLS4120D0EP , V50OPTIREG,
2020-10-22 15:42:18Infineon公司的OPTIREG™切换器TLS4120D0EP V50是同步降压稳压器,特别设计用于汽车电子应用.器件的电流能力为2A,固定输出电压5V,PWM模式的反馈电压精度为±1.5%.集成的功率级,软起动特性和集成的补偿网络降低了外接元件数量,从而降低了系统成本和PCB板尺寸.宽输入电压范围和100%占空比操作模式使得器件非常适合汽车应用的电池起动拖动状态.宽开关频率范围内允许选择合适的线圈和电容.开关频率可以和外接时钟同步,还可以激活扩
>>详情电源管理,氮化镓高迁移率晶体管(GaN HEMT),开关电源,DC/DC转换器, ST ,MASTERGAN1,
2020-10-21 15:30:26ST公司的MASTERGAN1是650V增强模式氮化镓(GaN)高迁移率晶体管,先进的功率系统级封装,集成了栅极驱动器和两个半桥配置的增强模式氮化镓(GaN)高迁移率晶体管,具有150 mΩRDS(ON)和650V漏源极击穿电压,而嵌入高边栅极驱动很容易由集成的自举二极管供电. MASTERGAN1对低和高驱动部分具有UVLO保护,以防止功率开关在低效率或危险条件下工作,而交错时钟功能避免了交叉导通的出现.漏极电流(IDS(MAX))为10 A,3.3V到15V兼容输入,具有超温保护
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