充电芯片分为线性充电和开关型充电管理。线性充电芯片体积小、易于使用、无噪声及辐射传导干扰、成本低廉,市场上比较熟悉通用的型号是4054及4056;但是效率低发热量大,无法满足1A以上大电流充电应用。开关型充电芯片以其高效率而闻名,可贴片小型封装输出较大的充电电流。但与线性充电芯片相比,外围电感器需要更大的电路板空间,增加了BOM成本和设计复杂性,且需考虑EMI辐射干扰。
>> 详情ADI公司的ADMV4640是 10.7 GHz -12.7 GHz卫星通信(SATCOM)用户终端微波下变换器. ADMV4640本地振荡器(LO)信号经由片上整数N(INT)合成器内部产生.内部合成器LO频率范围从8.7 GHz 到10.7GHz.输入RF 信号从10.7 GHz 到12.7 GHz是下变换到输出中频(IF) 1.4 GHz 到 2.2 GHz.器件包括滤波器以抑制像波段6.7 GHz 到 8.7 GHz.片上低噪音放大器包括混合器前的6 dB步进衰减器,允许用户在更低噪音和高线性度间进行折衷.
>> 详情马达驱动, 三相逆变器, BLDC, Power Integrations ,BridgeSwitch,
2022-08-29 12:14:14Power Integrations公司的BridgeSwitch™系列极大简化了应于用单相或多相PM电机及BLDC电机驱动的高压逆变器的开发和生产,完全集成的半桥集效率可达98%,无需采用额定连续RMS电流的外部散热片; 集成了半偏置供电的下管和上管驱动器,无需辅助电源. 内置的电机过流保护可增强安全性和可靠性.器件集成了两个高压N沟道功率FREDFET,并且下管和上管驱动器采用一个小型封装.内部功率FREDFET采用适合硬开关逆变器驱动器的超软超快速二极
>> 详情TI公司的PMP22817参考设计提供隔离偏压电源和隔离栅极驱动器,用于牵引逆变器和车载充电器的功率开关.偏压电源和驱动器两者为800VDC总线应用提供高隔离(3-kV RMS一分钟)需要.隔离偏压提供24VDC两种+15V和-5V栅极驱动偏压.隔离驱动器提供大电流(高达30A峰值)所需,以便迅速打开和关闭这些大功率开关,并提供先进的保护特性. PMP22817还提供测试的DC/DC单端初级电感转换器SEPIC离开汽车电池电压(6V到42V包括浪涌/ 电压跌落),以提供稳压2
>> 详情ADI公司的AD4684是 1 MSPS/500 kSPS四路16位双同时取样逐次逼近寄存器型(SAR)模数转换器(ADC),工作电压从3.0V到3.6V, AD4684吞吐量速率高达1MSPS, AD4685吞吐量速率高达500KSPS.模拟输入类型是单端和取样,转换在CS下降边沿. AD4684/AD4685具有片上定序器,集成了片上过取样区块,以改善动态范围,在低带宽时降低噪音.器件还包括缓冲内部2.5V基准电压.此外也可用高达3.3V的外接基准电压.转换过程和数据收集采用标准控制输入,允许接口到
>> 详情Arm Cortex-M0+ MCU, Arm Cortex-M4 CPU, Zigbee 3.0,照明和家庭自动化, ST, STM32WB5MMG, STM32WL55JC,
2022-08-24 14:23:22ST公司的STM32WB5MMG是超低功耗和小型2.4GHz无线模块,支持Bluetooth® 低功耗5.0, Zigbee® 3.0和OpenThread动态和静态并行模式以及802.15.4有所有权的协议.基于ST公司的STM32WB55VGY无线微控制器,由于良好接手灵敏度和高输出功率信号, STM32WB5MMG提供最好的RF性能.它的低功耗特性,扩展了电池寿命时间,小型纽扣电池或能量收获.
>> 详情Infineon公司的CC80QSG是反激拓扑电压模式控制器,工作在准谐振模式和谷开关DCM,以获得功率转换在宽工作范围内的高效率.对于电池充电应用,IC器件提供宽功率范围和广泛综合的保护.器件很容易提供设计,需要最低限度的外接元件.栅极驱动器可使采用最新的MOSFET设计高达130W.系统性能和效率能采用Infineon公司的CoolMOS™ P7功率MOSFET进行优化.集成的突发模式功能在待机模式和非常轻负载时设计非常低的待机功耗.
>> 详情Onsemi公司的NCP4307是用于多个高性能开关电源拓扑的同步整流(SR)MOSFET的高性能驱动器.器件从内部的200V CS引脚自供电,使得高边配置和低VOUT不需要辅助电源.双VCC引脚选择最佳的VCC源来最大限度降低损耗,因此为各种VOUT应用优化了设计.次级边同步整流驱动器用于高效率SMPS拓扑.NCP4307是高性能驱动器,精心控制开关电源的同步整流.由于它的高性能驱动器和用途广泛,可用在各种拓扑中如DCM或CCM反激,准谐振反激和正激.
>> 详情Maxim公司的MAX34427是SMBUS双路高动态范围储能器,具有很宽的动态范围(20000:1),能精确测量这样系统的功率.器件配置和监测了标准的I2C/SMBus串行接口.单向电流传感器提供精确高边工作和低的满刻度检测电压.器件自动收集电流检测和电压样品,然后乘法这些数值,以得到功率值,再累积.根据主机的指令,器件传输累积的功率样品,以及累加数,由主机存入到寄存器中.这种转移不会丢失一个样品,使得主机不仅能在实时而且能在任何时候检索到数据
>> 详情电源管理, USB PD 3.1,充电器, Power Integrations,
2022-08-18 11:23:50Power Integrations 公司的InnoSwitch4-CZ系列产品是有源箝位集成电路,能大大改善反激功率转换器的效率,特别是需要紧凑形体系统的转换器. InnoSwitch4-CZ系列在单个IC中集成了初级和次级控制器, 750V初级PowiGaN功率开关和安全指标反馈((FluxLink). InnoSwitch4-CZ和ClampZero组合大大地降低了系统和初级开关损耗,允许具有极高的功率密度. InnoSwitch4-CZ还集成多种保护特性,包括输出过压和过流限制以及超温关断.
>> 详情CoolSiC SiC MOSFET,电源管理, 功率转换器, Infineon , IMBF170R1K0M1,
2022-08-17 13:04:37Infineon公司的IMBF170R1K0M1是CoolSiC™ 1700V SiC Trench MOSFET,采用TO-263 7L表面安装器件(SMD)封装,漏极和源极的爬电距离大约为7mm,这样安全标准很容易满足.单独驱动器的源引脚有助于降低栅极回路寄生电感,以避免栅极激振效应.器件最适合用在反激拓扑,12V/0V栅源极电压和大多数的反激控制器兼容,具有非常低的开关损耗,完全可控制dV/dt以适宜EMI优化. SiC MOSFET降低了系统的复杂性,可直接从反激控制器直接驱动,有效提高了
>> 详情ADI公司的 ADL8105是砷化镓(GaAs)单片微波集成电路(MMIC) 假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)低噪声宽带放大器, 工作频率范围为5 GHz至20 GHz. 在12 GHz至17 GHz范围内,ADL8105提供27 dB典型增益,1.8 dB典型噪声系数和30.5 dBm典型输出三阶交调截点(OIP3)以及高达20.5 dBm的饱和输出功率(PSAT), 采用5 V电源电压时功耗仅为90 mA.可通过牺牲OIP3和输出功率(POUT)来降低功耗. ADL8105还具有内部匹配50 Ω的输入和输出.
>> 详情电源管理,DC/DC转换器, 雷达传感器, TI, LP87745-Q1,
2022-08-15 13:56:40TI公司的LP8774x-Q1是满足各种汽车和工业雷达应用的AWR和IWR MMIC功率管理要求的器件.器件具有三个降压DC/DC转换器,一个5V升压转换器和1.8V/3.3V LDO. LDO由升压转换器供电,打算给xWR IO供电.器件由SPI串行接口和使能信号控制.降压DC/DC转换器支持可编开关频率4.4MHz,8.8MHz或17.6MHz.高开关频率和宽频率范围的低噪音使得无LDO功率解决方案,具有极少的或没有无源滤波器.
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