25系列串行闪存系列采用四线,SPI兼容接口,可以低引脚数封装,占用更少的电路板空间,并最终降低系统总成本。该SST25VF080B设备加强与改进工作频率和更低的功耗。 SST25VF080BSPI串行闪存与专有的制造,高性能CMOS SuperFlash技术。该分离栅极单元设计和厚氧化层隧穿注入器可实现更高的可靠性和可制造性与其他方法相比。该SST25VF080B器件显著提高性能和可靠性,同时降低功耗。该器件写(编程或擦除)与2.7-3.6V的SST25VF080B单电源供电。消耗的总能量是所施加的一个功能电压,电流,和应用的时间。对于任何给定的电压范围,SuperFlash技术编程电流更低,且具有擦除时间更短,在任何擦除或程序消耗的总能量操作低于其他闪存技术。该SST25VF080B器件采用8引脚SOIC(200密耳),8触点WSON(6×5毫米),和8引线PDIP(300密耳)的软件包。请参见图2-1针分配。
•单电压读写操作
- 2.7-3.6V
•串行接口架构
- SPI兼容:模式0和模式3
•高速时钟频率
- 50/66 MHz的条件(见表5-6)
•卓越的可靠性
- 耐力:100,000周期(典型值)
- 大于100年的数据保留
•低功耗:
- 有效的读电流10 mA(典型值)
- 待机电流:5μA(典型值)
•灵活的擦除功能
- 均一4 K字节扇区
- 均一32 K字节覆盖块
- 统一的64K字节覆盖块
•快速擦除和字节编程:
- 芯片擦除时间:35毫秒(典型值)
- 具有部门/块擦除时间:18 ms(典型值)
- 字节编程时间:7μs(典型值)
•自动地址递增(AAI)编程
- 减少总芯片编程时间
字节编程操作
•检测写操作结束的
- 软件轮询状态寄存器中的BUSY位
- 在AAI模式下SO引脚上的忙状态读出
•保持引脚(HOLD#)
- 暂停串行序列的记忆
不取消选择器件
•写保护(WP#)
- 启用/禁用的的锁定功能
状态寄存器
•软件写保护
- 通过块保护位的写保护
状态寄存器
• 温度范围
- 商业:0°C至+ 70°C
- 工业:-40°C至+ 85°C
•封装
- 8引脚SOIC(200密耳)
- 8触点WSON(6×5毫米)
- 8引脚PDIP(300密耳)
•所有器件均符合RoHS标准