串行四I / O™(SQI™)系列闪存的设备配有六线,4位I / O接口,允许在低功率,高性能操作低引脚数封装。 SST26WF016B / 016BA也支持全指令集兼容传统串行外设接口(SPI)协议。系统使用SQI闪存器件的设计占用更少的电路板空间,并最终降低系统成本。26系列的所有成员,SQI家庭制造采用SST专有的高性能CMOS的SuperFlash技术。分裂栅单元设计和厚氧化层隧穿注入器可实现更高的可靠性并与替代制造相比,的方法。该SST26WF016B / SST26WF016BA显著提高性能和可靠性,同时降低能量消耗。该设备写入(计划或擦除)与1.65-1.95V的单电源供电。该消耗的总能量是所施加电压的函数,电流和时间的应用。对于任何给定的电压范围,SuperFlash技术编程电流更低,且具有擦除时间更短,在任何擦除或程序消耗的总能量操作低于其他闪存技术。SST26WF016B / 016BA提供8接触WDFN(6 x 5毫米),8引脚SOIC(150万),和8球XFBGA(Z-规模™)封装。请参见图2-1针分配。两种配置,可根据顺序:SST26WF016B默认在上电时有WP#和HOLD#引脚启用和SST26WF016BA默认情况下,在电有WP#按住#引脚禁用。
•单电压读写操作
- 1.65-1.95V
•串行接口架构
- 模式0和模式3
- 半字节复用的I / O,带有SPI串行状
指挥结构
- X1 / X2 / X4的串行外设接口(SPI)协议
•高速时钟频率
- 104 MHz的最大
•连拍模式
- 连续线性爆
- 与环绕8/16/32/64字节线性爆
•卓越的可靠性
- 耐力:100,000周期(分钟)
- 大于100年的数据保留
•低功耗:
- 有效的读电流:15 mA(典型值@ 104兆赫)
- 待机电流:10μA(典型值)
- 深度掉电电流:2.5μA(典型值)
•快速擦除时间
- 扇区/块擦除:18毫秒(典型值),25毫秒(最大值)
- 芯片擦除:35毫秒(典型值),50毫秒(最大值)
•页面程序
- 每页256字节构成x1或x4模式
•检测写操作结束的
- 软件轮询状态寄存器中的BUSY位
•灵活的擦除功能
- 均一4 K字节扇区
- 四个8K字节的顶部和底部的参数覆盖
块
- 一个32K字节的顶部和底部覆盖层块
- 统一的64K字节覆盖块
•写暂停
- 暂停编程或擦除操作访问
另一个块/扇区
•软件复位(RST)模式
•软件保护
- 个人 - 块写保护永久性
锁断功能
- 64千字节块,2个32千字节块,并
8个8 K字节参数块
- 读保护的顶部和底部的8 K字节
参数块
•安全ID
- 一次性可编程(OTP)2 K字节,
安全ID
- 64位独特,工厂预先编程的标识符
- 用户可编程区域
• 温度范围
- 工业:-40°C至+ 85°C
•封装
- 8触点WDFN(6×5毫米)
- 8引脚SOIC(150万)
- 8球芯片级封装(Z-规模™)
•所有器件均符合RoHS标准