该SST39LF200A / 400A / 800A和SST39VF200A / 400A / 800A器件是128KX16 / X16 256K / 512K X16的CMOS多用途闪存(MPF)与制造SST专有的,高性能CMOS SuperFlash技术。在分裂栅单元设计和厚氧化层隧穿注入器可实现更高的可靠性和可制造性与其他方法相比。该SST39LF200A / 400A / 800A写(编程或擦除)与3.0-3.6V电源。该SST39VF200A / 400A /800A写(编程或擦除)与2.7-3.6V电源。这些器件符合JEDEC标准引脚排列X16的回忆。
•组织为128K X16 / X16 256K / 512K X16
•单电压读写操作
- 3.0-3.6V的SST39LF200A / 400A / 800A
- 2.7-3.6V的SST39VF200A / 400A / 800A
•卓越的可靠性
- 耐力:100,000周期(典型值)
- 大于100年的数据保留
•低功耗
(14 MHz时的典型值)
- 工作电流:9 mA(典型值)
- 待机电流:3μA(典型值)
•扇区擦除功能
- 统一2K字扇区
•块擦除功能
- 统一32K字块
•快速读取时间
- 55纳秒SST39LF200A / 400A / 800A
- 70纳秒SST39VF200A / 400A / 800A
•锁存地址和数据
•快速擦除和字编程
- 扇区擦除时间:18 ms(典型值)
- 块擦除时间:18 ms(典型值)
- 芯片擦除时间:70毫秒(典型值)
- 字编程时间:14μs(典型值)
- 芯片重写时间:
2秒(典型值)SST39LF / VF200A
4秒(典型值)SST39LF / VF400A
8秒(典型值)SST39LF / VF800A
•自动写时序
- 内部VPP生成
•检测写操作结束的
- 翻转位
- 数据#投票
•CMOS I / O兼容性
•JEDEC标准
- 闪存EEPROM引脚及指令集
•封装
- 48引脚TSOP(12×20毫米)
- 48球TFBGA封装(6×8毫米)
- 48球WFBGA(4×6毫米)
- 48焊球XFLGA(4×6毫米) - 4和8Mbit的
•所有非铅(无铅)器件均符合RoHS标准