SST39VF401C / SST39VF402C / SST39LF401C / SST39LF402C 是采用SST 专有的高性能CMOS SuperFlash®技术制造的512K x16 CMOS多用途闪存+(Multi-PurposeFlash Plus, MPF+)器件。与其他方法相比,分离栅极单元设计(split-gate celldesign)和厚氧化层隧穿注入器(thick-oxide tunneling injector)可实现更高的可靠性和可制造性。SST39VF401C / SST39VF402C / SST39LF401C / SST39LF402C使用2.7-3.6V 电源进行写操作(编程或擦除)。这些器件遵从x16 存储器的JEDEC标准引脚排列。
• 按256K x16 的形式组织
• 单电压读写操作
– SST39VF401C/402C 为2.7-3.6V
– SST39LF401C/402C 为3.0-3.6V
• 超高可靠性
– 可擦写次数:100,000 次(典型值)
– 数据保存时间大于100 年
• 低功耗(5 MHz 时的典型值)
– 工作电流:5 mA (典型值)
– 待机电流:3 μA (典型值)
– 自动低功耗模式:3 μA (典型值)
• 硬件块保护/WP# 输入引脚
– 顶部块保护(顶部8K 字)
– 底部块保护(底部8K 字)
• 扇区擦除功能
– 均一2K 字扇区
• 块擦除功能
– 灵活的块架构;一个8K 字块、两个4K 字块、一个
16K 字块和七个32K 字块
• 全片擦除功能
• 擦除暂停/ 擦除继续功能
• 硬件复位引脚(RST#)
• 锁存地址和数据
• 安全ID 功能
– SST:128 位;用户:128 字
• 快速读取访问时间:
– SST39VF401C/402C 为70 ns
– SST39LF401C/402C 为55 ns
• 快速擦除和字编程:
– 扇区擦除时间:18 ms (典型值)
– 块擦除时间:18 ms (典型值)
– 全片擦除时间:40 ms (典型值)
– 字编程时间:7 μs (典型值)
• 自动写时序
– 内部VPP 生成
• 写操作结束检测
– 翻转位
– 数据# 查询
– 就绪/ 忙# 引脚
• CMOS I/O 兼容性
• JEDEC标准
– 闪存EEPROM 引脚排列和命令集
• 可用封装
– 48 引脚TSOP (12 mm x 20 mm)
– 48 球TFBGA (6 mm x 8 mm)
– 48 球WFBGA (4 mm x 6 mm)
• 所有器件均符合RoHS 标准