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Vishay的17款新器件扩充600V N沟道功率MOSFET系列2012-10-22

Vishay其E系列600V功率MOSFET新增采用8种封装的17款新器件,将该系列MOSFET在10V下的导通电阻扩展到39mΩ~600mΩ,将最高电流等级扩展至7A~73A。
Vishay的17款新器件扩充600V N沟道功率MOSFET系列

德州仪器控制器实现更高效率以太网供电2012-10-19

TI宣布推出两款整合以太网供电设备 (PD) 管理器与 DC/DC 控制器的电源管理集成电路。该 TPS23751 与 TPS23752 控制器不但支持宽泛负载下的高转换效率,而且还可提供比市场其它解决方案高 20% 的轻负载效率。
德州仪器控制器实现更高效率以太网供电

赛灵思推出基于ARM处理器的汽车级平台2012-10-18

赛灵思宣布已经为汽车产业加快开发和部署新一代汽车驾员辅助系统(ADAS)做好了准备。在2012年10月16日-17日在号称“世界汽车之都”的美国底特律举行的汽车工程师协会(SAE) Convergence 2012大会上, 赛灵思推出了基于ARM处理器的汽车级Zynq-7000 All Programmable片上系统(SoC)平台。
赛灵思推出基于ARM处理器的汽车级平台

ADI推出集成JESD204B串行接口的8通道超声接收器2012-10-18

ADI推出业界首款8通道超声接收器AD9671,集成片内JESD204B串行接口。通过集成该5Gb JESD204B接口,ADI 的全新AD9671 8通道接收器与其它数据接口标准相比,可减少多达80%的超声系统 I/O 数据路由。
ADI推出集成JESD204B串行接口的8通道超声接收器

IR推出IRGR4045DPbF和IRGS4045DPbF2012-10-16

IR推出IRGR4045DPbF和IRGS4045DPbF,以此拓展绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 系列。全新600V超高速沟道IGBT能够为洗衣机和冰箱等家电与轻工业电机驱动应用提升性能及效率。
IR推出IRGR4045DPbF和IRGS4045DPbF

飞兆半导体开发具有2.5A输出电流能力的智能IGBT光电耦合驱动器产品2012-10-16

太阳能逆变器、马达驱动器以及不间断电源(UPS)等大功率工业应用均需要一种具备高性能和核心保护功能的栅极驱动光电耦合器。 为了帮助设计人员应对这一挑战,飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)开发了一款先进的具有2.5A输出电流能力的智能IGBT光电耦合驱动器产品,即FOD8316智能式栅极驱动光电耦合器。
飞兆半导体开发具有2.5A输出电流能力的智能IGBT光电耦合驱动器产品

富士通半导体推出其V系列的又一款新产品MB85RC256V2012-10-16

富士通半导体,推出其V系列的又一款新产品MB85RC256V。至今为止,富士通V系列FRAM产品已经涵盖了4Kbit,16Kbit,64Kbit,256Kbit等容量。MB85RC256V是富士通首款可在2.7V-5.5V电压范围内工作的FRAM产品,为当今对元器件电压范围要求高的领域提供了设计的方便。
富士通半导体推出其V系列的又一款新产品MB85RC256V

ARM针对Mali-T600系列图形处理器发布处理器优化包IP技术2012-10-12

ARM®今日宣布推出首款针对ARM Mali™-T600系列图形处理器(GPU)的处理器优化包(POP™)IP解决方案。全新的POP IP针对基于台积公司28纳米HPM(移动高性能)制程技术的Mali-T628与Mali-T678进行了优化,其中的内核硬化加速技术(core-hardening acceleration technology)能够在最短的上市时间内获得最佳的ARM处理器实现。
ARM针对Mali-T600系列图形处理器发布处理器优化包IP技术

英飞凌推出第五代650V thinQ!TM SiC 肖特基势垒二极管2012-10-10

英飞凌近日宣布推出第五代650V thinQ!TM SiC 肖特基势垒二极管,壮大其SiC(碳化硅)产品阵容。
英飞凌推出第五代650V thinQ!TM SiC 肖特基势垒二极管

ST推出24V功率放大器2012-10-09

ST推出推出市场上性能和易用性最高的汽车音频功率放大器。新产品适用于电气系统工作电压为24V的货车和客车等商用车辆以及农业用车辆(轿车电气系统电压为12V),这是全球首款在工作电压为24V的汽车内无需加装任何外部元器件即可直接驱动扬声器的音频功率​​放大器,证明了意法半导​​体长期以来对汽车市场的专注和研发投入。
ST推出24V功率放大器
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