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[原创]ST ST-ONE全集成智能充电器控制方案2022-07-14
ST公司的ST-ONE是全集成数字智能充电器控制器,嵌入了ARM Cortex M0+核, ARM® 32位 Cortex®-M0+ MCU具有用于数字功率控制和USB协议的64kB闪存.在单个封装内集成了离线可编控制器,具有同步整流器和USB PD PHY.这样的系统特别设计用于控制ZVS非补偿有源箝位反激控制器,创建具有USB-PD接口的高功率密度充电器和适配器.器......
[原创]ST STGAP2HD电气隔离4A两路栅极驱动器解决方案2022-03-02
ST公司的STGAP2HD是两路栅极驱动器,在每路栅极驱动通路和低压控制和接口电路间提供电气隔离. 栅极驱动器具有4A电流能力和轨到轨输出,使它非常适合用在中高功率应用如功率转换和工业马达驱动器逆变器.分立输出引脚允许采用专用栅极电阻单独优化开通和关闭,而米勒钳位 (Miller CLAMP)功能则允许在半桥拓扑在快速换向时避免出现......
[原创]ST VN9D30Q100F带24位SPI接口六路高边驱动器解决方案2021-10-25
ST公司的VN9D30Q100F是采用ST公司的VIPower带24位SPI接口六路高边驱动器,主要是用来驱动直接连接到地的电阻或电感负载.器件还保护VCC引脚的瞬变电压.其编程,控制和诊断都是通过SPI总线来实现.每一路的数字电流检测反馈通过集成的0.1% FSR的10位ADC来提供.专用的调整比特位用来调整ADC的基准电流.通过SPI或2个OTP直接输入可控......
[原创]ST A6986I 38V 5W汽车隔离应用转换器解决方案2021-10-08
ST公司的A6986I是汽车级器件,特别设计用于隔离降压拓扑.器件具有100%占空比和宽输入电压范围,满足汽车系统的冷启动和负载突降指标要求.A6986I的初级输出电压能精确地调整,而隔离的次级输出则由给定的变压器比来得出.器件不需要光耦合器,初级沉电流能力高达1.9A(即使在软起动时)允许适当的能量传输到次级边,使得跟踪到软起动......
[原创]ST MASTERGAN5 600V增强模式GaN功率半桥驱动器解决方案2021-09-17
ST公司的MASTERGAN5是高功率密度两个增强模式GaN功率HEMT的600V半桥驱动器,具有先进的功率系统级封装(SiP),集成了栅极驱动器和两个半桥配置的增强模式GaN功率晶体管.集成的功率GaN具有650V漏极-源极电压和450 mΩ的RDS(ON).同时嵌入的栅极驱动器的高边很容易由集成的自举二极管进行供电.MASTERGAN5在低和高驱动部分具有UVLO......
[原创]ST STM32G474E 170MHz ARM MCU开发方案2021-06-23
ST公司的STM32G474xB/xC/xE系列产品是基于高性能Arm® Cortex®-M4 32位 RISC核.工作频率高达170MHz. Cortex-M4核有单精度浮点单元(FPU),支持ARM单精度数据处理指令和所有的数据类型.处理器还能实现全套的DSP(数字信号处理)指令和存储器保护单元(MPU),它增强了应用的安全性.该器件嵌入高速存储器(512KB闪存,128KB SRA......
[原创]ST MASTERGAN4增强型650V GaN功率晶体管解决方案2021-05-13
ST公司的MASTERGAN4是先进的系统级封装(SiP),集成了栅极驱动器和两个半桥配置的增强型氮化镓(GaN)功率晶体管.集成的功率GaN具有650V漏-源阻隔电压和225 mΩ的RDS(ON), IDS(MAX)为 6.5 A而嵌入的高边栅极驱动器能和容易由集成的自举二极管供电. MASTERGAN4在低压和高压驱动部分有UVLO保护,以防止功率开关工作在低效力或危险状......
[原创]ST STGAP2SICS电流隔离4A SiC MOSFET栅极驱动方案2021-04-19
ST公司的STGAP2SICS是电流隔离的4A SiC MOSFET单个栅极驱动器,驱动电流4A和轨到轨输出.器件有两种不同的配置.独立输出引脚配置允许采用专用的栅极电阻以得到单独的最佳开和关.配置具有单输出引脚和米勒钳位(CLAMP)功能,在半桥拓扑的快速换向时阻止栅极尖峰的发生.两种配置提供了高度灵活性,降低外接元件的材料清单(BOM).器件......
