嵌入式主题月实用方案-ST

[原创] ST STM32F071CB 75W数控恒流LED驱动器参考设计2019-11-08

ST公司的STM32F071x8/xB MCU是基于ARM的32位MCU,集成了高达128KB闪存,12个计时器,ADC,DAC和通信接口.STM32F071x8/xB MCU具有高性能ARM® Cortex®-M0 32位RISC核,工作频率高达48MHz,高速嵌入存储器(128KB闪存和16KB SRAM),以及各种增强外设和I/O.所有器件提供标准通信接口(两个I2C,两个SPI/一个I2S,一个HDMI CEC和四个......

[原创] ST ST25DV04 NFC RFID标签解决方案2019-10-30

ST公司的ST25DV04K,ST25DV16K和ST25DV64K(ST25DVxxx)是NFC RFID标签,代表4Kb,16Kb和64Kb电可擦可编程存储器(EEPROM),提供两个接口:第一个是I2C串行链接,由DC电源工作;第二个是RF链接,当ST25DV04K, ST25DV16K和ST25DV64K用作无接触存储器,由接收到的载体电磁波工作.......

[原创] ST ALED1262ZT汽车级12路LED驱动解决方案2019-10-24

ST公司的ALED1262ZT是汽车级12路输出LED驱动器,具有开路检测,局部调光,总线驱动和单独操作.ALED1262ZT保证有19V输出驱动能力,使用户可串联七个LED.在输出级,12个稳压电流源提供6mA到60mA恒流电流驱动LED,电流可用外接单个电阻进行编程,还可对LED开路误差进行检测.LED亮度每路可单独调整,通过7比特灰度进行控制.......

[原创] ST HVLED007低失真高压LED驱动方案2019-10-16

ST公司的HVLED007是低失真高压LED驱动器,是电流模式PFC控制器,特别适用于工作在转换模式(aka 准谐振操作)的隔离高功率因素反激转换器,目标用在室内和户外固态照明应用,它的工作温度低到-40℃还能保证电性能指标.HVLED007的主要特性是特别电路(输入电流正形器,ICS),使得高PF准谐振反激变换器能从动力线上提供理论上正弦输入电......

[原创] ST ST25R3916+STM32+STM8 NFC读卡器解决方案2019-10-11

ST公司的ST25R3916是高性能NFC通用器件,支持NFC启动程序(NFC initiator ),NFC标签, NFC读卡器和NFC卡仿真模式.ST25R3916包括先进的模拟前端(AFE)和用于ISO 18092无源和有源启动程序的高度集成的数据成帧系统,ISO 18092无源和有源标签,包括更高比特率的ISO 18092读卡器,NFC-F(FeliCa™)读卡器,高达53kbps的NFC-V(ISO 15......

[原创] ST STM32G474RE MCU数字功率和马达控制参考设计2019-09-27

ST公司的STM32G474RE是基于Arm® Cortex®-M4 32位RISC核的高性能MCU,工作频率高达170MHz. Arm® Cortex®-M4内核具有单精度浮点单源(FPU),支持所有ARM单精度数据处理指令和所有的数据类型,还能实现全套DSP(数字信号处理)指令和存储器保护单元(MPU),可以增强应用的安全性.......

[原创] ST SPC572Lx系列小型引擎EFI(电控燃油喷射系统)参考设计2019-09-18

ST公司的SPC572Lx系列是32位基于Power Architecture® MCU,是汽车动力控制器,主要用在四缸汽油和柴油发动机,底盘控制应用,变速箱控制应用,转向和制动应用以及低端混合应用.器件和ISO26262 ASIL-A兼容.满足AEC-Q100规范,具有32位Power Architecture® VLE兼容CPU核,单精度浮点运作,集成了支持EEPROM仿真(32KB)的1568KB......

[原创] ST VIPER26K 1050V高压转换器解决方案2019-08-30

ST公司的VIPER26K是集成了1050V雪崩功率部分和PWM电流模式控制论的高压转换器.1050V- BV功率MOSFET可扩展输入电压范围,同时降低DRAIN缓冲电路的尺寸.器件满足最严格的节能标准,因为它有非常低的功耗和轻负载时工作在突发模式.集成的HV起动,检测FET,误差放大器和抖动振荡器可使得完整的应用具有最少化元件数量.......

[原创] ST STNRGPF12两路交错式CCM PFC数字控制器解决方案2019-08-19

ST公司的STNRGPF12是两路交错式CCM PFC数字控制器,嵌入了数字浪涌电流限制器功能,控制器能驱动多达两个交错式通路.器件工作在固定频率CCM,用平均电流模式控制,基于混合信号(模拟/数字)架构.......

[原创] ST STDRIVE601三相半桥高压栅极驱动器解决方案2019-08-13

ST公司的STDRIVE601是单片三相半桥高压栅极驱动器,采用BCD6s离线技术制造,用于N沟功率MOSFET或IGBT,适用于三相应用.所有器件的源电流和沉电流分别是350mA和200mA.采用互锁和死区功能可防止交叉导通.器件的高压可高达600V,dV/dt瞬态度端正免疫度为±50 V/ns,栅极驱动电压范围从9V到20V,整个输入-输出传输时延为85ns,所有通路......