SMART SAM4E闪存微控制器系列是基于高性能的32位ARM®Cortex®-M4 RISC处理器,包括浮点运算单元(FPU)。其工作最高速度为120 MHz,并拥有高达1024 KB的闪存,2 KB的高速缓存和SRAM高达to128字节。
SAM4E提供了一套丰富,先进的外设接口,包括10/100 Mbps以太网MAC,支持IEEE 1588和双CAN。具有单精度FPU,先进的模拟功能,以及全套的时序和控制功能,SAM4E是工业自动化,家庭和楼宇控制,机器对机器通信,汽车售后市场和能源管理的理想解决方案。
其外设集包括,全速USB设备端口,嵌入式收发器,1个10/100 Mbps以太网MAC,支持IEEE 1588高速MCI的SDIO / SD / MMC卡,外部总线接口,具有静态存储控制器提供连接SRAM,PSRAM,NOR闪存,LCD模块和NAND闪存,并行I / O捕捉模式,相机接口,硬件
加速AES256,2个USART,2个UART,2 TWIs,3个SPI,以及一个4通道PWM,3三通道通用32位定时器(带步进电机和正交解码器逻辑支持),一个低RTC供电,低功耗RTT,256位通用备份寄存器,2个模拟前端接口(16位ADC,DAC,MUX和PGA),一个12位DAC(双声道)和模拟比较器。
SAM4E有三种可选的软件低功耗模式:睡眠,等待和备份。在休眠模式下,处理器停止,而其他所有功能都保持运行。在等待模式中,所有时钟和功能停止,但一些外设可以基于预定义的条件,被配置成唤醒。实时事件管理可以使外设接收,做出反应,并发送事件信息(在激活和休眠模式下,无需处理器干预)
核
̶ARM Cortex-M4与2 KB的高速缓存运行速度高达120 MHz(1)
̶存储器保护单元(MPU)
̶DSP指令
̶浮点单元(FPU)
̶的Thumb-2指令集
存储器
¯多达1024个字节嵌入式闪存
̶128 KB的SRAM存储器
̶16 KB的ROM与嵌入式引导加载程序(UART)和IAP例程
̶静态存储控制器(SMC):SRAM,NOR,NAND支持
̶NAND闪存控制器系统
̶嵌入式稳压器为单电源供电
̶上电复位(POR),欠压检测器(BOD)和双看门狗安全操作
̶石英或陶瓷谐振器振荡器:3〜20 MHz的主电源有故障检测和可选低功耗32.768千赫RTC或设备时钟
̶RTC与阳历和波斯日历模式,波形发生在备份模式
̶RTC计数器校准电路补偿32.768 kHz晶振频率误差
̶高精度4/8/12 MHz的工厂校准内部RC振荡器,4 MHz的默认频率为设备启动。在调整频率访问
••慢时钟内部RC振荡器作为永久性低功率模式设备时钟
̶一个PLL高达240 MHz的器件时钟和USB
温度感应器
̶低功耗篡改检测对两个输入,防篡改按立即清楚的通用备份寄存器(GPBR)
¯最多2个外设DMA控制器(PDC)多达33通道
̶1个4通道DMA控制器
低功耗模式
̶睡眠,RTC,RTT和GPBR备份模式等待和备份模式下,最低0.9μA
外设
̶两个USART与USART1(ISO7816和IrDA®,RS-485,SPI,曼彻斯特和调制解调器模式)
̶USB 2.0设备:全速(12兆位),2668字节FIFO,最多8个端点。片上收发器
̶两个2线的UART
̶两个2线接口(TWI)
̶高速多媒体卡接口(SDIO / SD卡/ MMC)
̶与片选信号中的一个主/从串行外设接口(SPI)
̶三3通道32位定时器/计数器模块具有捕捉,波形,比较和PWM模式。正交
解码逻辑和2位格雷向上/向下计数器为步进电机
̶32位低功耗实时定时器(RTT)和低功耗的实时时钟(RTC)与日历和闹钟功能
̶256位通用备份寄存器(GPBR)
̶一个以太网MAC(GMAC)10/100 Mbps的MII模式只能用专用DMA和支持IEEE1588,网络唤醒
̶两个CAN控制器与八个邮箱
̶4通道16位PWM互补输出,故障输入,12位死区时间生成计数器电机控制
̶实时事件管理
加密
̶AES 256位密钥算法符合FIPS出版物197模拟
̶AFE(模拟前端):2x16-位ADC,多达24个通道,差分输入模式,可编程增益级,自动校准和自动偏移校正
̶一个2通道12位1 MSPS DAC
一个模拟比较器,带有灵活的输入选择,可选的输入迟滞
I / O
̶多达117 I / O线和外部中断功能(边缘或电平触发),去抖动,毛刺滤波和管芯系列电阻
终端
̶双向垫,模拟I / O,可编程的上拉/下拉
̶5个32位并行输入/输出控制器,外设DMA辅助并行捕捉模式
封装
̶144球LFBGA,10×10毫米,节距0.8毫米
̶100球TFBGA,9×9毫米,节距0.8毫米
̶144引脚LQFP,20×20毫米,节距0.5毫米
̶100引脚LQFP,14×14毫米,节距0.5毫米
注:1,120兆赫:-40/+ 105°C,VDDCORE=1.2V