关键特性

•超低功耗与FlexPowerControl

- 电源电压范围：1.71 V ~ 3.6 V

- 温度范围：-40°C ~ 85/105/125°C

- VBAT模式下为300 nA：为RTC和32×32位备份寄存器供电

- 关断模式：30 nA（5个唤醒引脚）

- 待机模式：120 nA（5个唤醒引脚）

- 待机模式 + RTC：420 nA

- 停止2模式：1.1μA；停止2 + RTC：1.4μA

- 运行模式：100μA/ MHz

- 批量采集模式（BAM）

- 从停止模式唤醒：4μs

- 除关断以外的所有模式下的欠压复位（BOR）

- 互连矩阵

•内核：ARM® 32位Cortex®-M4 CPU，具有FPU和自适应实时加速器（ART Accelerator™），实现了从闪存进行零等待状态执行，频率高达80MHz，MPU，100DMIPS/1.25DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）和DSP指令

•时钟源

- 4~48 MHz晶振

- 面向RTC的32 kHz晶振（LSE）

- 内部16 MHz工厂校准RC（±1%）

- 内部低功耗32 kHz RC（±5%）

- 内部多速100 kHz~48 MHz振荡器，由LSE自动校准（精度超过±0.25%）

- 3个用于系统时钟、USB、音频和ADC的PLL

•具有HW日历、报警和校准功能的RTC

•具有升压转换器的LCD 8×40或4×44

•电容感应通道多达24条，支持触摸键、线性和旋转触摸传感器

•16个定时器：2个16位高级电机控制定时器、2个32位和5个16位通用定时器、2个16位基本定时器、2个低功耗16位定时器（具有停止模式）、2个看门狗定时器、1个SysTick定时器

•快速I/O多达114个，最高耐压5V，14个I/O具有低至1.08V的独立电源

•存储器

- 1 MB闪存，2个边读边写库，专有代码读取保护

- 128 KB SRAM，包括具有硬件奇偶校验功能的32 KB

- 静态存储器的外部存储器接口，支持SRAM、PSRAM、NOR和NAND存储器

- 四重SPI存储器接口

•4个面向Σ-Δ调制器的数字滤波器

•丰富的模拟外设（独立电源）

- 3个采样率为5 Msps、具有硬件过采样功能的12位ADC，200μA/ Msps

- 2个具有低功耗采样与保持功能的12位DAC

- 2个具有内置式PGA的运算放大器

- 2个超低功耗比较器

•18个通信接口

- USB OTG 2.0全速、LPM和BCD

- 2个SAI（串行音频接口）

- 3个I2C FM+（1Mb/s）、SMBus/PMBus

- 6个USART（ISO 7816、LIN、IrDA、调制解调器）

- 3个SPI接口（4个具有四重SPI的SPI）

- CAN（2.0B Active）和SDMMC接口

- SWPMI单线协议主I/F

•14通道DMA控制器

•真随机数发生器

•CRC计算单元，96位唯一ID

•开发支持：串行线调试（SWD）、JTAG、嵌入式跟踪宏单元™

相关资料下载

DM00108832