该LC05132C01NMT是保护IC，用于1节锂离子二次电池用的集成功率MOS FET。此外，它集成了高度准确的检测电路和检测延迟电路，以防止过充电，过放电，过电流放电和过电流充电的电池。此外，主系统可以通过关闭充电FET执行电源接通本身复位和放电FET LC05132C01NMT的一定时间周期，与复位信号。电池保护系统可以只通过LC05132C01NMT和很少的外部部件进行。
•充电和放电功率MOSFET相集成，Ta = 25°C，VCC = 4.5V
导通电阻（总充放电）11.2m（典型值）
•高精度检测电压/电流在Ta = 25°C，VCC = 3.7V
过充电检测±25mV的
过放电检测±50mV的
充电过电流检测±0.63A
放电过电流检测±0.63A
•延迟时间进行检测和释放（内部固定）
•放电/充电过电流检测的功率FET的温度依赖性补偿
•0V电池充电：“禁止”
•自动唤醒功能的电池充电：“禁止”
•过充电检测电压：4.0V至4.525V（为5mV步骤）
•过充电解除滞后：0V至0.3V（100mV的步骤）
•过放电检测电压：2.2V至2.8V（50mV的步骤）
•过放电解除滞后：0V至0.075V（25mV步进）
•强制充电FET和放电-FET关模式
RSTB> VDD * 0.8：充电-FET和放电FET = ON
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