Wearable 智能可穿戴

关键特性

充电和放电功率MOSFET相集成，Ta = 25°C，VCC = 4.5V

导通电阻（总充放电）11.2m（典型值）

高精度检测电压/电流在Ta = 25°C，VCC = 3.7V

过充电检测±25mV的

过放电检测±50mV的

充电过电流检测±0.63A

放电过电流检测±0.63A

延迟时间进行检测和释放（内部固定）

放电/充电过电流检测的功率FET的温度依赖性补偿

0V电池充电：“禁止”

自动唤醒功能的电池充电：“禁止”

过充电检测电压：4.0V至4.525V（为5mV步骤）

过充电解除滞后：0V至0.3V（100mV的步骤）

过放电检测电压：2.2V至2.8V（50mV的步骤）

过放电解除滞后：0V至0.075V（25mV步进）

强制充电FET和放电-FET关模式

RSTB> VDD * 0.8：充电-FET和放电FET = ON

RSTB

应用

智能手机

平板电脑

可穿戴设备

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