Wearable 智能可穿戴

MB85R1002A
Memory FRAM 1 M Bit (64 K × 16) MB85R1002A

概述

MB85R1002A

记述

该MB85R1002A是采用FRAM（铁电随机存取存储器）芯片构成的65536＊16位字节的非易失存储单元使用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术。

该MB85R1002A能够保持数据，而无需使用后备电池，适用于SRAM。

在MB85R1002A中使用的存储单元可用于1010读/写操作，这是一个显著改进的由闪存，E2PROM支持读取和写入操作的数目。

所述MB85R1002A使用类SRAM接口。