MB85RS256B
说明
MB85RS256B是FRAM(铁电随机存取存储器)芯片中的32,768×8位的结构字,采用强电介质的过程和硅栅CMOS工艺技术,用于形成非易失性存储单元。
MB85RS256B采用串行外设接口(SPI)。
该MB85RS256B能够保持数据,而无需使用后备电池,因为需要用于SRAM。
在MB85RS256B中使用的存储单元可用于1012读/写操作,这是一个显著改进的由闪存和E2PROM支持读取和写入操作的数目。
MB85RS256B用不了多久的时间来写像闪存或E2PROM和MB85RS256B数据,不带任何等待时间。
位配置:32,768字×8位
串行外围设备接口:SPI(串行外设接口)
对应于SPI模式0(0,0)和模式3(1,1)
工作频率:除了读33 MHz的所有命令(最大值)
读命令25兆赫(最大)
高耐久性:1012次/字节
数据保存:10年(+ 85°C),95年(+ 55°C),200年(+ 35°C)
工作电源电压:2.7 V至3.6 V
低功耗:工作电源电流6 mA(典型值@ 33兆赫)
待机电流9μA(典型值)
工作环境温度范围:-40°C至+85°C
封装:8引脚塑料SOP(FPT-8P-M02)
符合RoHS标准