Wearable 智能可穿戴

MB85R1001A
Memory FRAM 1 M Bit (128 K × 8) MB85R1001A

概述

MB85R1001A

记述

该MB85R1001A采用FRAM（铁电随机存取存储器）芯片构成的131,072字×8位的非易失性存储单元的制造的，使用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术。

该MB85R1001A能够保持数据，而无需使用后备电池，适用于SRAM。

在MB85R1001A中使用的存储单元可用于1010的读/写操作，这是一个显著改进的由闪存和E2PROM，支持读取和写入操作。

所述MB85R1001A使用伪SRAM接口。