MB85RC04V
说明
该MB85RC04V采用FRAM（铁电随机存取存储器）芯片中的512×8位的结构，采用强电介质的过程和硅栅CMOS工艺技术用于形成非易失性存储单元。
与SRAM不同，所述MB85RC04V能够保持数据，而无需使用一个数据备份电池。
用于MB85RC04V非易失存储单元的读/写耐力也提高到在至少1012个周期，显著跑赢其它非易失性内存产品的数量。
写入存储器诸如闪存的情况下后MB85RC04V不需要一个轮询序列内存或E2PROM。
位配置：512字×8位
两线串行接口：通过两个端口完全可控：串行时钟（SCL）和串行数据（SDA）。
工作频率：1兆赫（最大）
读/写耐久性：1012次/字节
数据保存：10年（+ 85°C），95年（+ 55°C），200年（+ 35°C）
工作电源电压：3.0 V至5.5 V
低功耗：工作电源电流90μA（典型值@ 1兆赫）
待机电流5μA（典型值）
工作环境温度范围:- 40°C至+ 85°C
封装：8引脚塑料SOP（FPT-8P-M02）
符合RoHS标准
在微信里搜索“Chinaecnet”或
在手机上扫描二维码
添加中电网微信账号
