Wearable 智能可穿戴

MB85RS16N
Memory FRAM 16 K (2 K × 8) Bit SPI MB85RS16N

概述

MB85RS16N

说明

MB85RS16N采用FRAM（铁电随机存取存储器）芯片中的2048字×8位结构，利用强电介质的过程和硅栅的CMOS工艺技术形成非易失性存储器单元。

MB85RS16N采用串行外设接口（SPI）。

该MB85RS16N能够保持数据，而无需使用后备电池，因为需要用于SRAM。

在MB85RS16N中使用的存储单元可用于1010读/写操作，这是一个显著改进的由闪存和E2PROM支持读取和写入操作的数目。

MB85RS16N用不了多久的时间来写像闪存或E2PROM的数据，并以MB85RS16N没有等待时间。