Wearable 智能可穿戴

MB85RS512T
Memory FRAM 512K (64 K × 8) Bit SPI MB85RS512T

概述

MB85RS512T

说明

MB85RS512T采用FRAM（铁电随机存取存储器）芯片中的65536×8位的结构采用强电介质的过程和硅栅CMOS工艺技术，用于形成非易失性存储单元。

MB85RS512T采用串行外设接口（SPI）。

该MB85RS512T能够保持数据，而无需使用后备电池，适要用于SRAM。

在MB85RS512T中使用的存储单元可用于1013读/写操作，这是一个显著改进的由闪存和E2PROM支持读取和写入操作的数目。

MB85RS512T用不了多久的时间来写像闪存或E2PROM和MB85RS512T数据不带任何等待时间。