Wearable 智能可穿戴

MB85RC64A
Memory FRAM 64 K (8 K × 8) Bit I2C MB85RC64A

概述

MB85RC64A

说明

该MB85RC64A采用FRAM（铁电随机存取存储器）芯片8,192×8位的配置，采用强电介质的过程和硅栅CMOS工艺技术用于形成非易失性存储单元。

与SRAM不同，所述MB85RC64A能够保持数据，而无需使用一个数据备份电池。

用于MB85RC64A非易失存储单元的读/写耐力也提高到在，至少1012个循环，显著优于闪存和E2PROM中的数目。

写入存储器诸如闪存的情况下MB85RC64A不需要一个轮询序列内存或E2PROM。