MB85RS64
说明
MB85RS64采用FRAM(铁电随机存取存储器)芯片,8,192字×8位结构,利用强电介质的过程和硅栅的CMOS工艺技术形成非易失性存储器单元。
MB85RS64采用串行外设接口(SPI)。
该MB85RS64能够保持数据,而无需使用后备电池,因为需要用于SRAM。
在MB85RS64中使用的存储单元可用于1012读/写操作,这是一个显著改进的由闪存和E2PROM支持读取和写入操作的数目。
MB85RS64用不了多久的时间来写像闪存或E2PROM的数据,并以MB85RS64
没有等待时间。
位配置:8,192字×8位
串行外围设备接口:SPI(串行外设接口)
对应于SPI模式0(0,0)和模式3(1,1)
工作频率:20兆赫(最大)
高耐久性:1012次/字节
数据保存:10年(85°C),95年(55℃),已有200多年(35°C)
工作电源电压:2.7 V至3.6 V
低功耗:工作电源电流1.5 mA(一般在20兆赫)
待机电流5μA(典型值)
工作环境温度范围: - 40°C至85°C
封装:8引脚塑料SOP(FPT-8P-M02)符合RoHS