Wearable 智能可穿戴

MB85R4M2T
Memory FRAM 4 M (256 K × 16) Bit MB85R4M2T

概述

MB85R4M2T

概述

该MB85R4M2T采用FRAM（铁电随机存取存储器）芯片构成的262,144字×16位的非易失性存储器单元，它应用了铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术。

该MB85R4M2T能够保持数据，而无需使用后备电池，适用于SRAM。

在MB85R4M2T中使用的存储单元可用于1013的读/写操作，这是一个显著改进由闪存存储器和支持的读取和写入操作的数字E2PROM。所述MB85R4M2T使用SRAM接口。