电源管理,GaN功率晶体管, ST, MASTERGAN4,
2021-08-23 13:43:42ST公司的MASTERGAN4是先进功率系统级封装(SiP),集成了栅极驱动器和两个半桥配置的增强模式GaN功率晶体管.集成的功率GaN有650V漏极-源极阻断电压,RDS(ON) 为225 mΩ.而高边嵌入栅极驱动器能很容易由集成的阴极负载二极管供电.MASTERGAN4在低和高边驱动部分具有UVLO保护,从而防止功率开关工作在低效率或危险条件,其互锁功能避免了交叉导通出现.输入引脚的扩展范围允许容易和MCU,DSP单元和霍尔效应传感器接口.MASTERGAN4的工作温度为-
>>详情电源管理,DC/DC转换器,辐射硬度放心(RHA), TI,TPS7H4002-SP,
2021-08-19 13:39:19TI公司的TPS7H4002-SP是抗辐射加固的5.5V 3A同步降压转换器,通过高效和集成了高边和低边MOSFET具有最佳的小型化设计.通过电流模式控制,降低了元件数量进一步节省了空间,而高开关频率又降低了电感的占位面积.抗辐射加固高达TID 100 krad(Si),SEL, SEB和SEGR 免疫到LET = 75 MeV-cm2/mg,SET 和SEFI 特征化高达LET = 75 MeV-cm2/mg,峰值效率为96.9% (VO = 2.5 V),集成了50-mΩ和35-mΩ MOSFET,最大输出电流3A.器件具有灵活的开关频率选
>>详情栅极驱动器,SiC MOSFET, On Semi,NCP51561,
2021-08-16 13:30:57On Semi公司的NCP51561是隔离双路栅极驱动器,分别具有4.5A.9A源和沉峰极电流,设计用于快速开关驱动功率MOSFET和SiC MOSFET功率开关.NCP51561提供短和匹配的传输延迟.从输入到每个输出的隔离电压为5 kVrms,两个输出驱动器间的内部功能隔离允许工作电压高达1500VDC.驱动器能用作两个低边,两个高边开关或有可编死区时间的半桥驱动器的任何可能的配置.NCP51561还提供其它重要的保护功能如对两个栅极驱动器的单独欠压锁住和死区调整功能
>>详情TI公司的TLC6983是高度集成共阴的超低功耗16 × 48 LED阵列驱动器,具有16位PWM调光特性.单个TLC6983能驱动16x16 RGB LED像素,两个TLC6983堆栈能驱动32x32 RGB像素.为了得到低功耗,器件支持红绿蓝LED单独供电.单独VCC电压范围为2.5V-5.5V,而VR/G/B电压范围为2.5V-5.5V.器件的48个电流源通路从0.2 mA–20 mA,通路间精度典型为±0.5%,最大为±2%;器件间的精度为±0.5% (典型), ±2%(最大).
>>详情Maxim公司的MAX25606是汽车照明用六开关阵列管理集成电路,具有六个单独控制的N沟MOSFET开关,每个开关的开态电阻0.2Ω,额定电压16V.单电流源能用来给所有串联的LED供电.单个LED通过跨接的旁路开关开通和关断来进行调光.器件可配置成两个串行应用:每串三个关串联.每个开关能串行连接一个,两个或三个LED.器件还开以并联两个开关,大电流LED供电.器件还包括内部电荷泵,给LED旁路开关的栅极驱动器提供电源.器件具有多支路UART通信既然口,
>>详情电源管理,DC/DC转换器, Maxim ,MAX17227J500mA,
2021-08-05 13:19:11Maxim公司的MAX17227J是400mV到5.5V输入,500mA nanoPower升压转换器具有短路保护和自动直通模式,为负载提供高达500mA的峰值电感电流,并提供自动直通工作.器件具有真正关断(True Shutdown™),逐个周期的电感电流限制,短路和热保护特性.MAX17227J提供超低静态电流,小型总体解决方案尺寸和高效对负载和线路范围内的吞吐量.MAX17227J的静态电流为350nA,具有输出短路保护,过六和超温保护,峰值效率为95%,在500μA是为89%或更高,5.0V
>>详情电源管理,栅极驱动器, Infineon ,IR2114/IR2214,
2021-07-30 17:09:21Infineon公司的IR2114/IR2214是用来驱动功率开关应用的单个半桥栅极驱动器,提供高的驱动能里(2A源,3A沉),具有低的静态电流,这就允许在中等电源系统中使用升压电源技术.通过功率晶体管去饱和检测和通过专用的软关断引脚来平滑关断去饱和晶体管栅极驱动器,因此器件具有短路保护功能,因而防止出现过压现象,降低了电磁发射.在多相位系统,IR2114/IR2214驱动器采用专用的本地网络(SY_FLT 和FAULT/SD信号)来适当地管理相位到相位的短路.为
>>详情TI公司的TPS543620是高效率4V-18V输入6A同步SWIFT降压转换器,具有内部补偿的固定频率先进电流模式控制,开关频率高达2.2MHz.器件是小型2.5-mm x 3-mm HotRod VQFN封装,和高效率和高昂频率一起,使它最适合用在小型解决方案的地方.固定频率控制器工作从500 kHz 到 2.2 MHz,采用SYNC引脚能和外时钟同步.其它特性还包括高精度基准电压,可选择软起动时间,单调起动进入预偏压输出,可选择电流限制,通过EN引脚可调UVLO和全套的故障保护.器件
>>详情电源管理,SiCMOSFET,栅极驱动器, On Semi, NCP51561SiCMOSFET,
2021-07-28 15:11:22On Semi公司的NCP51561是分别具有4.5A源电流和9A沉峰值电流的隔离双路栅极驱动器,电流隔离为5 kVrms.设计用来开速开关驱动功率MOSFET和SiCMOSFET功率晶体管.器件提供短和匹配的传输时延.从输入到每个输出的电流隔离为5 kVrms,而两个输出驱动器间的内部功能隔离允许工作电压高达1500VDC.该驱动器可配置成两个低边,两个高边开关或带可编死区时间的半桥驱动器.两个输出驱动器具有独立的UVLO保护,输出电源电压从9.5V到30V,8V为MOSFET,1
>>详情电源管理,DC/DC转换器, Rohm, BD9G500EFJ-LA,
2021-07-27 15:25:06Rohm公司的BD9G500EFJ-LA是7V-76V输入集成了低开态电阻的5A高边MOSFET单路降压DC/DC转换器.可提供电流高达5A.电流模式架构具有快速瞬态响应和简单的相位补偿建立.工作频率可从100kHz调整650kHz.器件的输入电压从7V到76V,输入最大范围为80V.基准电压精度1.0 V±1.0 %,输出电流最大为5A,高边MOSFET开态电阻为100 mΩ.关断电流为0 μA,工作温度范围为-40 C 到 +125 C.器件具有软起动功能,过流保护(OCP),欠压锁住(UVLO),热关断保护(TSD
>>详情Maxim公司的MAX22203是集成电流检测的65V 3.8A两路有刷马达和单个步进马达驱动器,具有PWM输入和精确的电流驱动调节(CDR).每个H桥可单独地控制,有非常低的RON(高边+低边)0.3Ω(TA = 25C),导致了高驱动效率和产生低热量.MAX22203可用来驱动两个有刷DC马达或单个步进马达.器件具有过流保护(OCP),热关断(TSD)和欠压锁住(UVLO).开路漏极作用低nFAULT引脚,每次起作用时用作故障条件检测.在热关断和欠压锁住时,驱动器处与三态直到正常工作
>>详情On Semi公司的NCx5725y系列(NCD57252,NCD57253,NCD57255, NCD57256,NCV57252, NCV57253,NCV57255, NCV57256)是大电流两路隔离IGBT/MOSFET栅极驱动器,输入到每个输出的内部电流为隔离2.5或5 kVrms,同时功能隔离在两个输出通路.器件在输入边接收3.3V到20V偏压和信号电平, 输出边高达32V偏压.器件的峰值输出电流为±6.5 A或, ±3.5 A.可配置成两路低边或两路高边或半桥驱动器.可编重叠或死区时间控制,短路时IGBT/MOSFET栅极箝位,精密匹
>>详情ADI公司的LT8357是宽输入电流模式DC/DC控制器,可以配置成升压,SEPIC或反激转换器.LT8357驱动带有5V分立栅极驱动的低边功率MOSFET.电流模式架构允许可调和100kHz到2MHz同步固定频率工作,或内部19%三角扩频操作以获得低的EMI.在轻负载时可选择脉冲跳跃模式或波纹突发模式.其它特性还包括在SEPIC和反激配置时的输出电源良好和输出短路保护.器件低IQ突发模式工作电流为8μA,2MHz时的效率高达95%,内部有±1.5% 1V电压基准,5V分立栅极驱动
>>详情Renesas公司的RAA223021超低待机功率通用的输入 AC/DC 开关降压稳压器,集成了700V MOSFET,能够在降压模式下提供高达 8W 的输出功率,可在反激模式下提供高达 12W 的输出功率.器件支持低至 3.3V 的输出电压,无需额外的 LDO.器件还具有输入功率不足保护功能,可防止输入电路在低输入电压下的过电流,并在输出故障条件(如短路,过载和开路反馈)下进行打嗝保护.器件的空载时功耗< 20mW,效率高达80%,内置的频率抖动进一步降低了EMI噪声频谱.
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