Powerint公司的40W多输出反激转换器是四个LED驱动器,采用InnoMuxTMIMX102U和InnoSwitchTM3-MX INN3468C,由于不需要升压和降压转换器级而极大地改善了系统效率.它还简化开发和制造多个输出的电源. InnoSwitch3-MX架构是革命性,在单个IC器件集合了初级和次级控制器,高压功率开关,以及检测元件和安全的反馈机制. InnoSwitch3-MX初级控制器是准谐振(QR)反激控制器,能工作在连续导通模式(CCM),采用可变电流控制方案.初级包含抖动振荡器,
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Maxim公司的MAX77831是2.5V-16V输入18W输出的高效降压-升压转换器.当采用内部反馈电阻时器件的默认输出电压是5V.当采用外接反馈电阻时,也可以配置成3V和15V间任何电压,输出电压通过I2C接口动态进行调整,而器件仅工作在增强PWM(FPWM)模式.SEL引脚允许单个外接电阻进行四个不同的I2C接口从寻址,四个不同开关电流设限阈值,一种在外接/内部反馈电阻之间选择.这四种开关电流设限阈值允许使用更小的尺寸和更小的外接元件.采用外接反馈电阻
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ADI公司的ADuM4221/ADuM4221-1/ADuM4221-2是4A隔离的半桥栅极驱动器,采用ADI公司的iCouplerR技术,提供单独的和隔离的高边和低边输出.该器件组合了高速CMOS和单片变压器技术,和其它器件如脉冲变压器和栅极驱动器组合相比,具有杰出的性能,逻辑输入电压从2.5V到6.5V,和低电压系统兼容.器件具有高共模瞬态免疫150 kV/μs,工作结温125C, UL recognition per UL 1577 5700 V rms延续一分钟.主要用在开关电源,隔离的IGBT/MOSFET栅极驱动器
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TI公司的DS90UB953-Q1串行化器件是FPD-LinkIII器件系列产品,支持高速原始数据传感器包括60-fps的2.3MP成像仪以及4MP, 30-fps照相机,卫星RADAR,LIDAR和飞行时间(ToF)传感器.器件提供4.16Gbps正向通路和超低等待50Mbps双向控制通路,支持单同轴电缆(PoC)或STP电缆的供电.DS90UB953-Q1具有先进的数据保护和诊断特性,支持ADAS和自主驾驭.DS90UB953-Q1还提供精密的多个照相机传感器时钟和传感器同步.DS90UB953-Q1完全是AEC-Q100资质的,工
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电源管理，DC／DC转换器，汽车电子， Infineon ， TLS4120D0EP ， V50OPTIREG，
2020-10-22 15:42:18Infineon公司的OPTIREG™切换器TLS4120D0EP V50是同步降压稳压器,特别设计用于汽车电子应用.器件的电流能力为2A,固定输出电压5V,PWM模式的反馈电压精度为±1.5%.集成的功率级,软起动特性和集成的补偿网络降低了外接元件数量,从而降低了系统成本和PCB板尺寸.宽输入电压范围和100%占空比操作模式使得器件非常适合汽车应用的电池起动拖动状态.宽开关频率范围内允许选择合适的线圈和电容.开关频率可以和外接时钟同步,还可以激活扩
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电源管理，氮化镓高迁移率晶体管(GaN HEMT)，开关电源，DC／DC转换器， ST ，MASTERGAN1，
2020-10-21 15:30:26ST公司的MASTERGAN1是650V增强模式氮化镓(GaN)高迁移率晶体管,先进的功率系统级封装,集成了栅极驱动器和两个半桥配置的增强模式氮化镓(GaN)高迁移率晶体管,具有150 mΩRDS(ON)和650V漏源极击穿电压,而嵌入高边栅极驱动很容易由集成的自举二极管供电. MASTERGAN1对低和高驱动部分具有UVLO保护,以防止功率开关在低效率或危险条件下工作,而交错时钟功能避免了交叉导通的出现.漏极电流(IDS(MAX))为10 A,3.3V到15V兼容输入,具有超温保护
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TI公司的LM604x0系列是3.8V-36V 3A和4A超小型同步降压DC/DC转换器.该器件容易使用,为工业应用提供业界最好的效率.LM60430提供多达3A负载电流,而LM60440则是业界最小的4A降压转换器.器件具有低EMI和开关噪音,满足CISPR22 class 5标准,开关频率400kHz和1MHz,输出电压从1V到24V,所有负载下的功率转换高效率,峰值效率大于95%,10-mA, 12 VIN, 5 VOUT时的PFM效率为90%.工作结温–40C 到 +150C.工作静态电流25 μA.主要用在工业PC和CPU(PLC
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Infineon公司的2EDN752x/2EDN852x系列产品是先进的双路氮化镓驱动器,具有比硅器件有明显的优越性,特别是它的更高的临界电场是使得氮化镓对功率半导体器件具有非常大的吸引力.和Si MOSFET相比,它的动态开态电阻和更小的电容值.因此,GaN HEMT晶体管具有更高的开关速度,更高的工作频率,提高了功率密度和整个系统的效率.2EDN752x/2EDN852x系列适合于驱动逻辑和正常电平MOSFET,支持OptiMOSTM, CoolMOSTM,标准电平MOSFET,超级结MOSFET以及
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电源管理，PFC，HEV／EV， SiC MOSFET，TI， TIDA－01604，
2020-09-30 12:38:29TI公司的TIDA-01604是效率98.6% 6.6kW图腾柱无桥功功率因素校正(PFC)参考设计.功率级有C2000™微控制器(MCU)和SiC隔离的栅极驱动器所驱动的碳化硅(SiC) MOSFET.参考设计实施是三相交错的,工作在连续导通模式(CCM),在240V输入电压和6.6kW满功率时效率达到98.6%,C2000控制器赋能切相和自适应死区控制,以改善轻负载时的功率因素.栅极驱动器板具有增强隔离特性,能经受大于100V/ns共模瞬态抗扰度(CMTI).栅极驱动器还包含两级关断电
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ST公司的L5964是双路降压开关稳压器,具有内部功率开关和低压降线性/待机稳压器,设计用于汽车电池电源应用.所有的稳压器有单独的确电源,赋能引脚,电源良好和热保护.开关稳压器有可选择的电压监视器和电源良好以及可选择的限流值.两个DC/DC转换器能在自由运行条件下工作,可选择频率为270 kHz或2.2 MHz,或同步到外接时钟(SYNCIN引脚).它们是180反相,而同步输出信号(SYNCOUT引脚)与第一个稳压器是90反相.这种相移简化了两个IC的同时应用
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电源管理，DC／DC转换器，氮化镓，CoolGaN，Infineon IGT60R070D1，
2020-09-28 14:52:32Infineon公司的IGT60R070D1是600V CoolGaN™氮化镓增强模式功率晶体管,具有超快的开关速度,没有反向恢复电荷,能够反向导通,低栅极电荷和低输出电荷,优越的换向坚固性,根据JEDEC标准(JESD47和JESD22)具有工业应用的资质.提高了系统效率和功率密度,更高的工作频率,降低系统成本和降低EMI.采用CoolGaN™ 600V增强型HEMT IGT60R070D1 3600W LLC DC/DC演示板能把360V到400VDC输入电压转换成调整的52V输出.IGT60R070D1主要用在
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Microchip公司的AT73C24-x系列是超低成本功率管理单元(PMU),工作电压3.3V到5.25V.包括四个电源和一个非常低功耗的实时时钟(RTC).在正常模式(主电池存在),备份电池通过2.6V RTC LDO进行再充电.AT73C24-x系列提供不同的自动程序和不同的软管理模式:寄存器访问的动态(经由SPI或TWI)或静态,访问4个电源的电源开/关.每个器件装配了非常低功耗的能带隙基准电压,低功耗32kHz和1MHz振荡器和内部LDO,用来产生内部电源(VINT) 2.8V.辅助电池如
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TI公司的TIDM-1001是采用TMS320F280025C MCU的数控500W两相交错LLC谐振转换器参考设计. TMS320F280025C能在所有工作条件下产生脉宽调制(PWM)波形,用于所有的功率开关器件.该设计采用创新的电流共享技术,以便在两相中精确地平衡电流.而谐振转换器是用在服务器,通信,汽车,工业和其它电源应用的受欢迎的DC/DC转换器,是中高功率应用的很好的选择,因为提高了工业标准,增加功率密度和高性能(效率,功率密度等等)标准.参考设计TIDM-1001满负
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TI公司的BQ25792是I2C控制5A降压-升压电池充电器,具有双输出选择器和USB PD 3.0 OTG输出.这宽全集成开关模式降压/升压充电器用于1-4节锂电池和锂聚合物电池,它包括4个开关的MOSFET(Q1,Q2,Q3,Q4(,输入和充电电流检测电路,电池FET(QBAT)和降压/升压转换器的所有的回路补偿.提供了高功率密度和设计灵活性,以适应USB Type-C™和USB供电(USB-PD)应用如智能手机,平板电能和其它手持设备.器件750kHz和1.5MHz可编开关频率,9V输入2节电
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