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Linear推出接通时间由高频信号控制的单输出两相同步降压型DC/DC控制器LTC38392012-01-18

Linear推出接通时间由高频信号控制的单输出两相同步降压型 DC/DC 控制器 LTC3839，该器件在 2MHz 频率工作时，能以 25A 输出电流实现高达 95% 的效率。其工作频率可在 200kHz 至 2MHz 范围选择，或者可同步至一个外部时钟。

TI推出一款电池充电器IC2012-01-17

日前，德州仪器 (TI) 宣布推出一款电池充电器 IC，其不仅能够支持更高单元容量的电池，而且还可提升平板电脑、电子阅读器以及智能电话的电池充电电流。该款高度集成的单节锂离子电池充电器提供双输入，支持从 USB 端口或更高功率输入电源（AC 适配器或无线电源输入）供电。

Linear推出过压保护控制器LT43632012-01-17

凌力尔特公司推出过压保护控制器 LT4363，该器件为高可用性电子系统提供了过压和过流保护。当流过长电感性电源总线的电流突然变化时，就会发生电源电压浪涌。另外，汽车电池还会经历一种称为负载突降的情况，在这种情况下，电压会在持续多个 ms 的时间里处于上升状态。

ANADIGICS为三星电子新型Galaxy Nexus智能手机批量供应HELP3E功率放大器2012-01-10

2012年1月10日，新泽西州沃伦讯 —— ANADIGICS, Inc. (Nasdaq：ANAD) 是全球首屈一指的射频 (RF) 解决方案供应商。该公司今日宣布开始为三星电子的新型三星Galaxy Nexus智能手机批量供应AWC6323双频低功耗高效率 (HELP3E™) 功率放大器 (PA)。三星Galaxy Nexus智能手机采用超薄的曲线外壳设计，配备一块4.65英寸的高清显示屏、500万像素摄像头，内置1.2 GHz双核处理器。此外，这款造型优美的Galaxy Nexus将由Verizon Wireles

TI推出3款可提高高密度隔离式电源效率与可靠性的新一代双通道输出栅极驱动器2012-01-09

日前，德州仪器 (TI) 宣布推出 3 款可提高高密度隔离式电源效率与可靠性的新一代双通道输出栅极驱动器，进一步壮大其 MOSFET 驱动器产品阵营。

ST推出打破高压功率MOSFET晶体管世界记录的MDmesh V功率MOSFET晶体管2011-12-27

横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体（STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码：STM）推出打破高压功率MOSFET晶体管世界记录的MDmesh V功率MOSFET晶体管。

科锐推出芯片型碳化硅功率器件2011-12-16

科锐公司将继续引领高效率电子电力模组变革，宣布推出业界首款符合全面认证的可应用于电力电子模组的裸芯片型及芯片型碳化硅MOSFET功率器件。科锐碳化硅ZFET™ MOSFET器件和二极管适用于高阶电力电子电路，与传统硅器件相比，可实现更高的能源效率。

MathWorks宣布新版本SimPowerSystems通过Simscape支持模型共享2011-11-30

今天，MathWorks宣布新版本的SimPowerSystems提供了与Simulink产品家族中的Simscape以及其他物理建模工具间更强大的连接功能。借助诸如“支持Simscape的编辑模式”这样的新特性，现在SimPowerSystems 5.5 为工程技术人员提供了与所有其他Simscape 用户共享电力电子模型的能力。

Linear推出同步降压-升压型转换器 LTC3115-12011-11-22

凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出同步降压-升压型转换器 LTC3115-1 ，该器件可使用从单节锂离子电池、24V/28V工业电源轨到 40V 汽车输入的多种电源，提供高达 2A 的连续输出电流。LTC3115-1 具 2.7V 至 40V 的输入和输出范围，在输入高于、低于或等于输出时，可提供稳定的输出。

IR推出IRGPS4067DPbF和IRGP4066DPbF器件2011-11-15

全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 近日扩充坚固耐用、可靠的超高速 600 V 沟道绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 系列，为不间断电源 (UPS) 、太阳能、工业用电机及焊接应用推出IRGPS4067DPbF 和IRGP4066DPbF器件。