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Diodes推出完全自保护式低压侧MOSFET ZXMS6004FF2008-12-23

ZXMS6004FF元件采用2.3 mm x 2.8mm扁平SOT23F封装，与正在使用的7.3 mm x 6.7mm SOT223封装的元件相比节省了85%的占板空间。

ST推出模拟开关与音频放大器二合一芯片TS4961T2008-12-23

TS4961T可以简化手机和便携媒体播放器的电路板设计，节省空间。 

Maxim推出双通道高压数字脉冲发生器MAX481x2008-12-22

器件具有1.3A (最小值)输出电流，能够独立配置为从低压逻辑输入向高压系统提供单极性或双极性脉冲信号。

IR推出全新沟道型HEXFET功率MOSFET系列2008-12-19

新款MOSFET具有更低的导通电阻 (RDS (on)) ，并可使用常用的TO-220、D2PAK和TO-262封装。

AnalogicTech推出低阻抗半桥MOSFET驱动器AAT49102008-12-18

AAT4910支持电压高达28V, 其半桥双金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)驱动器可提供业界同类多相DC-DC转换器中的最低阻抗。

Mitsubishielectric出售面向商业电台放大器的7.2V高功率MOSFET2008-12-15

MOSFET具有工业顶级的漏极效率，在527MHz下达到67%，同时具有450-527MHz的宽工作范围。  

Vishay推出20V n 通道功率 MOSFET＋肖特基二极管2008-12-12

SiB800EDK将具有低正向电压的肖特基二极管与具有低导通电阻的 MOSFET 结合在同一封装中

Linear推出LTC4444-5 的高可靠性 (MP) 级新版本2008-12-12

LTC4444MP-5 可在 -55°C 至 125°C 的结温范围内运作并进行了全面的测试，而“ I ”等级器件版本的工作温度范围则为 -40°C 至 85°C。 

Linear推出反激式控制器可为任意大小电容器充电2008-12-11

LT3751 驱动一个外部 N 沟道 MOSFET，可在不到 1 秒钟的时间内将一个 1000uF 电容器充电至 500V 

Axiom推出GSM/GPRS功率放大器(PA) AX5082008-12-11

AX508具有更好的性能和更小的占板面积，进一步巩固了Axiom作为手机CMOS功放领导者的地位