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嵌入式主题月实用方案-厂商

NXP LPC175x嵌入应用USB和多种接口方案2010-02-08

NXP公司的LPC1759/58/56/54/52/51是32位ARM Cortex-M3 MCU,具有高度集成和低功耗特性,有多达512kB的闪存,64kB SRAM以及以太网,USB 2.0主/设备/OTG和CAN等. LPC1758/56/57/54/52/51 CPU工作频率高达100MHz, LPC1759 CPU工作频率高达120MHz,主要用于仪表,照明,工业网络,告警系......

Microchip PIC32 32位MCU开发方案2010-02-05

Microchip 公司的PIC32 32位MCU是基于MIPS 的80 MHz 高性能 32 位闪存单片机, 具有带5 级流水线的MIPS32® M4K™ 32 位内核, 工作电压范围为2.3V 至3.6V,提供各种通用和专用的外设,包括以太网,CAN,USB主/设备/OTG,闪存32KB到512KB,板载RAM从8KB到128KB.本文......

TI TPS5429x全集成双路降压电源转换方案2010-02-05

TI 公司的TPS54290/1/2是全集成双路输出全同步降压电源转换器,通路1提供高达1.5A连续电流, 通路2提供高达2.5A连续电流.输入电压从4.5V到18V,输出电压低到0.8V,高到输入电压的90%,主要应用在STB,DTV,DSP电源和消费类电子.本文介绍TPS54290/1/2主要特性,方框图,两种设计案例电......

ST STM32TS60数字电阻型多触摸屏控制方案2010-02-04

ST 公司的STM32TS60是集成了I2C,SPI,UART和USB接口的数字电阻型多触摸屏控制器,能同时跟踪多达10个单独的触摸,分辨率达0.17mm,触摸屏扫描速率达125 Hz 到 250 Hz,主要用于游戏机,智能手机,PMP,PND,MID和笔记本电脑.本文介绍STM32TS60主要特性, 2.5”-6”屏单器件应用电路和材......

NXP TEA1751T GreenChip III SMPS控制方案2010-02-04

NXP公司的TEA1751T 和TEA1751LT是第三代GreenChip III 开关电源(SMPS)控制器,它把PFC和反激控制器组合在一起.通用的交流电压从70V(AC)到276V(AC),内置的绿色功能在各个功率范围提供高的效率,主哟用在高达250W的开关电源如笔记本电脑适配器.本文介绍TEA1751T 和TEA1751LT主要......

ST 基于STM32F103RE和MEMS的iNEMO评估方案2010-02-01

ST 公司的STEVAL-MKI062V1 (iNEMO)是基于STM32F103RE和MEMS的iNEMO平台,用来对大多数的惯性,温度和压力传感器的性能进行评估,能对加速度计,磁力计和陀螺仪以及压力和温度传感器的数据进行测量. STM32F103RE是高性能ARM® Cortex™-M3 32位RISC核处理器,工作......

Freescale i.MX51应用处理器开发评估方案2010-02-01

Freescale公司的i.MX51使用于消费类电子和工业产品的应用处理器,采用先进的ARM Cortex A8™核,工作速率高达800MHz,支持高达200MHz的DDR2和移动DDR DRAM时钟速率.目标应用在工厂自动化,HMI,医疗设备,手提/ Tethered打印机以及电子书(eBook).本文介绍了i.MX51应用处理......

TI bq3060锂离子电池管理方案2010-01-27

TI 公司的bq3060是全集成的单片锂离子电池管理器,能对2,3,或4组锂离子电池进行电量计量,保护和身份验证.采用超低功耗模式的8位RISC CPU,可用于上网本/笔记本电脑,医疗和测试设备以及手提仪表.本文介绍bq3060主要特性, 系统分区方框图和评估板bq3060EVM-001电路图和材料清单.......

Hittite HMC815LC5 21-27 GHz上变换方案2010-01-26

Hittite 公司的HMC815LC5是GaAs MMIC I/Q 21 - 27 GHz上变换器,小信号变换增益12dB,边带抑制+20dB,输出IP3为+27dBm,主要用于点对点和点对多点无线电,军用雷达,EW和ELINT,卫星通信和传感器.本文介绍HMC815LC5主要特性, 方框图和应用电路图以及评估板PCB布局图与材料列表.......

ST LSM303DLH 3D数字线性加速度传感方案2010-01-25

ST 公司的LSM303DLH 是3D数字线性加速度传感器和3D数字磁传感器,满刻度的线性加速度为±2 g / ±4 g / ±8 g,满刻度磁场为±1.3 / ±1.9 / ±2.5 / ±4.0 / ±4.7 / ±5,6 / ±8.1高斯,两者都由用户选择.模拟工作电压2.5 V - 3.3 V,数字电源I/O电压为1.8V,3个磁场通路和3个加......
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