实用方案

绿色技术主题月实用方案-应用

[原创]TI TPS536C7B1两路非易失存储器(NVM)降压控制器解决方案2021-06-03

TI公司的TPS536C7B1是两路内置了非易失存储器(NVM)和PMBus接口的降压控制器,完全和TINexFET™智能功率级兼容.其先进的控制特性如D-CAP+架构提供快速瞬态响应,低输出电容和良辰美景的电流共享.器件还提供新型相位交错策略和灵活多样点火顺序.器件还支持可调控制输出电压转换速率和自适应电压定位.此外,还支持PMBus通信接......

[原创]ADI ADuM6420A带DC／DC转换器的四道数字隔离器解决方案2021-05-25

ADI公司的ADuM6420A/ADuM6421A/ADuM6422A是采用isoPower®集成隔离式直流/直流转换器的四通道数字隔离器.基于 ADI 公司的iCoupler®技术,可提供稳压隔离式电源,在配备铁氧体的 2 层印刷电路板(PCB)上在满载时符合 CISPR 32/EN 55032 B 级限制.100mA输出电流,满足AEC-Q100汽车应用规范, 在 500 mW的隔离式设计中不再需......

[原创]Infineon XDPS2201混合反激控制器解决方案2021-05-18

Infineon公司的XDPS2201是基于非对称半桥控制的XDP混合反激控制器.半桥驱动和串联电容连接的反激变压器.反激变压器的主要电感和串联电容形成谐振回路,可以得到半桥功率开关的零电压开关(ZVS)特性,在反激变器的通常去磁相中提供另外的谐振功率发送.数字混合反激控制器在DSO-14(150密尔)封装中集成了半桥驱动器,600V高压起动单......

[原创]TI LM25149－Q1 42V汽车同步DC／DC控制器解决方案2021-05-14

TI公司的LM25149-Q1是42V汽车同步DC/DC控制器,距有超低IQ和集成了有源EMI滤波器.器件采用峰值电流模式控制架构以容易回路补偿,具有快速瞬态响应和极好负载和线路调整.LM25149-Q1可设定为具有精确电流共享的交错模式(并行输出),以用于大电流的应用.器件的工作电压低至3.5V,接近100%的占空比,如果需要时.LM25149-Q1有两个独特......

[原创]ST MASTERGAN4增强型650V GaN功率晶体管解决方案2021-05-13

ST公司的MASTERGAN4是先进的系统级封装(SiP),集成了栅极驱动器和两个半桥配置的增强型氮化镓(GaN)功率晶体管.集成的功率GaN具有650V漏-源阻隔电压和225 mΩ的RDS(ON), IDS(MAX)为 6.5 A而嵌入的高边栅极驱动器能和容易由集成的自举二极管供电. MASTERGAN4在低压和高压驱动部分有UVLO保护,以防止功率开关工作在低效力或危险状......

[原创]Infineon TLD5542－1同步MOSFET H桥DC/DC控制器解决方案2021-05-06

Infineon公司的TLD5542-1是同步MOSFET H桥DC/DC控制器,内置了保护特性和SPI接口,能以最大的系统效率和最少的外接元件驱动大功率LED. TLD5542-1提供模拟和数字(PWM)调光,开关频率在200kHz和700kHz间可调.器件可与外接时钟源同步.内置的可编扩频开关频率调制和强迫连续电流稳流模式改善了整个EMC性能. 电流模式稳流方案提供了......

[原创]Infineon ILD8150调光低到0.5%大功率LED驱动器解决方案2021-04-29

Infineon公司的ILD8150是80V DC/DC降压转换器,用于驱动大功率LED.对于接近SELV极限的应用,ILD8150提供了高安全电压富余度.降压LED驱动器特别设计用于通用照明应用的LED,采用高边集成开关其平均电流可高达1.5A.器件集成了80V低RON的高边MOSFET,混合调光率0.5%目标电流.工作电压宽,为8V到80V,逐个周期的电流限制.器件具有欠压......

[原创]On Semi NVHL060N090SC1900V 6．6 kW车载充电器解决方案2021-04-20

On Semi公司的NVHL060N090SC1是900V 46A碳化硅(SiC)功率MOSFET.和硅器件相比,SiC MOSFET具有优越的开关性能和更高的可靠性.更低的开态(ON)电阻和紧凑的芯片尺寸,保证有更低的电容和栅极电容.因此,SiC MOSFET系统具有最高的效率,更快的工作频率,较高的功率密度,从而降低了EMI和系统尺寸.On Semi公司的6.6 kW车载充电器(OBC)S......

[原创]ST STGAP2SICS电流隔离4A SiC MOSFET栅极驱动方案2021-04-19

ST公司的STGAP2SICS是电流隔离的4A SiC MOSFET单个栅极驱动器,驱动电流4A和轨到轨输出.器件有两种不同的配置.独立输出引脚配置允许采用专用的栅极电阻以得到单独的最佳开和关.配置具有单输出引脚和米勒钳位(CLAMP)功能,在半桥拓扑的快速换向时阻止栅极尖峰的发生.两种配置提供了高度灵活性,降低外接元件的材料清单(BOM).器件......

[原创]Silabs CRD－06600FF065N6.6kW双向电动汽车车载充电机设计方案2021-04-06

Silabs公司的CRD-06600FF065N是6.6kW高功率密度双向电动汽车车载充电机参考设计,采用Wolfspeed公司的630V C3M™SiC MOSFET和Silicon Labs公司的Si8233BB 4A双路隔离栅极驱动器,以得到大功率密度电动汽车车载充电机(OBC).参考设计采用Wolfspeed 650 V C3M™ SiC MOSFET具有高频开关性能,得到小型和轻的成本效益的系......