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视频展示

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  TMS320C550x低功耗DSP器件

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  sluc076－TPS40K 同步降压控制器

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  InfineonLED驱动器

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  Luminus 创造极高亮度LED芯片传奇

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  TPS63020：DC－DC转换器

新品展示

TI推出三款支持5 A额定电流的新型热插拔管理器2009-02-20

三款新型热插拔管理器，可针对工作电压介于 3 V～20 V 的电压轨提供过电流保护

Freescale推出新一代横向扩散金属氧化物半导体射频功率晶体管2009-02-20

基于HV8技术的系列器件针对先进功率放大器架构中的运行做了优化，包括与数字预失真（DPD）结合使用的Doherty。

Altium 为新一代电子产品设计提供更丰富的可编程器件选项2009-02-20

新型子板采用 Xilinx Virtex-4 系列的 XC4VSX35-10FFG668C 器件，并配备有可充分满足应用使用需求的板载存储器以及用来存储电路板识别数据的 1-Wire 存储器器件。

Connect One推出可轻松集成的10/100Base-T局域网模块2009-02-19

Nano LANReach 嵌入式局域网模块，只要稍加编程就可将任何嵌入式器件轻松连接至 10/100Base-T局域网  

TI推出功能强大的最新可扩展 LTE 平台TMS320TCI64872009-02-16

1.2 GHz TMS320TCI6487完美结合了功能强大的软件库，全面优异的性能足以满足LTE 的复杂算法要求   

TOSHIBA 3位/单元32nm和4位/单元43nm NAND闪存技术突破性进展2009-02-16

3位/单元32nm技术时代的器件为其行地址解码器和扩展的列结构采用最优化的电路设计，做到了尺寸仅为113mm2 的芯片，是该技术时代下已达到的最小晶片尺寸。

T3G实现基于具备多模能力的软件调制解调-平台的TD-LTE端到端应用测试2009-02-13

天碁科技的平台采用先进的嵌入式矢量处理器核，最高可以实现50 Mbps的下载速率和150 Mbps的上传速率，并支持TD-LTE/TD-HSPA/EDGE以及LTE FDD制式下的多种通信模式。

NUMONYX推出45nm NOR闪存芯片提升存储产品性能2009-02-13

45nm的1兆位(Gb)单片闪存基于Numonyx StrataFlash 存储器架构，引脚兼容恒忆目前量产的65nm NOR闪存芯片。

Vishay 推出多款面向最高端领域应用的Bulk Metal箔表面贴装电阻2009-02-13

该器件具±0.2 ppm/度起（-55度 至 +125度，+25度）的 TCR、达0.005%（50 ppm）的负载寿命稳定性、小于 0.05% 的报废容限及小于 1 纳秒几乎瞬时的热稳定时间；可在特定电阻值范围内制造任何电阻值，且不会影响成本或供货时间

NEC推出PowerMOSFET新品NP110N04PUJ和NP110N055PUJ2009-02-12

新产品采用NEC电子的SuperJunction1技术，具有杰出的优值系数（FOM），可最小化开关损耗并提高系统效率。