MB85RC1MT
说明
该MB85RC1MT采用FRAM(铁电随机存取存储器)芯片中的131,072×8位的结构
字,采用强电介质的过程和硅栅CMOS工艺技术用于形成非易失性存储单元。
与SRAM不同,所述MB85RC1MT能够保持数据,而无需使用一个数据备份电池。
用于MB85RC1MT非易失存储单元的读/写耐力也提高到在至少1013个周期,显著跑赢其它非易失性内存产品。
写入存储器诸如闪存的情况下,MB85RC1MT不需要一个轮询序列内存或E2PROM。
位配置:131,072字×8位
两线串行接口:通过两个端口完全可控:串行时钟(SCL)和串行数据(SDA)。
工作频率:3.4兆赫(最大@HIGH速度模式)
1兆赫(最大@FAST模加)
读/写耐久性1013次/字节
数据保存:10年(+ 85°C)
工作电源电压:1.8 V至3.6 V
低功耗:工作电源电流0.71毫安(典型值@ 3.4兆赫)
1.2毫安(最大@ 5.4兆赫)
待机电流15μA(典型值)
睡眠电流4μA(典型值)
工作环境温度范围:- 40°C至+ 85°C
封装:8引脚塑料SOP(FPT-8P-M02)