包装 : 带盒（TB） 可替代的包装

系列 : SuperMESH™

FET类型 : MOSFET N 通道，金属氧化物

FET功能 : 逻辑电平门

漏源极电压（Vdss） : 600V

电流-连续漏极（Id）（25°C时） : 400mA（Tc）

不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） : 8.5 欧姆 @ 500mA，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值） : 3.7V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷（Qg） : 10nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss） : 156pF @ 25V

功率-最大值 : 3W

安装类型 : 通孔

封装/外壳 : TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线

供应商器件封装 : TO-92-3