马达驱动, 三相逆变器, BLDC, Power Integrations ,BridgeSwitch
2022-08-29 12:14:14Power Integrations公司的BridgeSwitch™系列极大简化了应于用单相或多相PM电机及BLDC电机驱动的高压逆变器的开发和生产,完全集成的半桥集效率可达98%,无需采用额定连续RMS电流的外部散热片; 集成了半偏置供电的下管和上管驱动器,无需辅助电源. 内置的电机过流保护可增强安全性和可靠性.器件集成了两个高压N沟道功率FREDFET,并且下管和上管驱动器采用一个小型封装.内部功率FREDFET采用适合硬开关逆变器驱动器的超软超快速二极
>>详情TI公司的PMP22817参考设计提供隔离偏压电源和隔离栅极驱动器,用于牵引逆变器和车载充电器的功率开关.偏压电源和驱动器两者为800VDC总线应用提供高隔离(3-kV RMS一分钟)需要.隔离偏压提供24VDC两种+15V和-5V栅极驱动偏压.隔离驱动器提供大电流(高达30A峰值)所需,以便迅速打开和关闭这些大功率开关,并提供先进的保护特性. PMP22817还提供测试的DC/DC单端初级电感转换器SEPIC离开汽车电池电压(6V到42V包括浪涌/ 电压跌落),以提供稳压2
>>详情Arm Cortex-M0+ MCU, Arm Cortex-M4 CPU, Zigbee 3.0,照明和家庭自动化, ST, STM32WB5MMG, STM32WL55JC
2022-08-24 14:23:22ST公司的STM32WB5MMG是超低功耗和小型2.4GHz无线模块,支持Bluetooth® 低功耗5.0, Zigbee® 3.0和OpenThread动态和静态并行模式以及802.15.4有所有权的协议.基于ST公司的STM32WB55VGY无线微控制器,由于良好接手灵敏度和高输出功率信号, STM32WB5MMG提供最好的RF性能.它的低功耗特性,扩展了电池寿命时间,小型纽扣电池或能量收获.
>>详情Infineon公司的CC80QSG是反激拓扑电压模式控制器,工作在准谐振模式和谷开关DCM,以获得功率转换在宽工作范围内的高效率.对于电池充电应用,IC器件提供宽功率范围和广泛综合的保护.器件很容易提供设计,需要最低限度的外接元件.栅极驱动器可使采用最新的MOSFET设计高达130W.系统性能和效率能采用Infineon公司的CoolMOS™ P7功率MOSFET进行优化.集成的突发模式功能在待机模式和非常轻负载时设计非常低的待机功耗.
>>详情Onsemi公司的NCP4307是用于多个高性能开关电源拓扑的同步整流(SR)MOSFET的高性能驱动器.器件从内部的200V CS引脚自供电,使得高边配置和低VOUT不需要辅助电源.双VCC引脚选择最佳的VCC源来最大限度降低损耗,因此为各种VOUT应用优化了设计.次级边同步整流驱动器用于高效率SMPS拓扑.NCP4307是高性能驱动器,精心控制开关电源的同步整流.由于它的高性能驱动器和用途广泛,可用在各种拓扑中如DCM或CCM反激,准谐振反激和正激.
>>详情电源管理,储能器, I2C/SMBus, Maxim, MAX34427
2022-08-19 13:48:08Maxim公司的MAX34427是SMBUS双路高动态范围储能器,具有很宽的动态范围(20000:1),能精确测量这样系统的功率.器件配置和监测了标准的I2C/SMBus串行接口.单向电流传感器提供精确高边工作和低的满刻度检测电压.器件自动收集电流检测和电压样品,然后乘法这些数值,以得到功率值,再累积.根据主机的指令,器件传输累积的功率样品,以及累加数,由主机存入到寄存器中.这种转移不会丢失一个样品,使得主机不仅能在实时而且能在任何时候检索到数据
>>详情电源管理, USB PD 3.1,充电器, Power Integrations
2022-08-18 11:23:50Power Integrations 公司的InnoSwitch4-CZ系列产品是有源箝位集成电路,能大大改善反激功率转换器的效率,特别是需要紧凑形体系统的转换器. InnoSwitch4-CZ系列在单个IC中集成了初级和次级控制器, 750V初级PowiGaN功率开关和安全指标反馈((FluxLink). InnoSwitch4-CZ和ClampZero组合大大地降低了系统和初级开关损耗,允许具有极高的功率密度. InnoSwitch4-CZ还集成多种保护特性,包括输出过压和过流限制以及超温关断.
>>详情CoolSiC SiC MOSFET,电源管理, 功率转换器, Infineon , IMBF170R1K0M1
2022-08-17 13:04:37Infineon公司的IMBF170R1K0M1是CoolSiC™ 1700V SiC Trench MOSFET,采用TO-263 7L表面安装器件(SMD)封装,漏极和源极的爬电距离大约为7mm,这样安全标准很容易满足.单独驱动器的源引脚有助于降低栅极回路寄生电感,以避免栅极激振效应.器件最适合用在反激拓扑,12V/0V栅源极电压和大多数的反激控制器兼容,具有非常低的开关损耗,完全可控制dV/dt以适宜EMI优化. SiC MOSFET降低了系统的复杂性,可直接从反激控制器直接驱动,有效提高了
>>详情电源管理,DC/DC转换器, 雷达传感器, TI, LP87745-Q1
2022-08-15 13:56:40TI公司的LP8774x-Q1是满足各种汽车和工业雷达应用的AWR和IWR MMIC功率管理要求的器件.器件具有三个降压DC/DC转换器,一个5V升压转换器和1.8V/3.3V LDO. LDO由升压转换器供电,打算给xWR IO供电.器件由SPI串行接口和使能信号控制.降压DC/DC转换器支持可编开关频率4.4MHz,8.8MHz或17.6MHz.高开关频率和宽频率范围的低噪音使得无LDO功率解决方案,具有极少的或没有无源滤波器.
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