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士兰明芯高亮度红光LED芯片研发成功进入批量生产 2009-07-31
高亮度红光芯片采用键合工艺实现衬底置换,用到热性能好的硅衬底(硅的热导率约为1.5W/K.cm)代替砷化镓衬底(砷化镓的热导率约为0.8W/K.cm),芯片具有更低热阻值
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