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  • 時科推出高性能·高可靠—時科SiC肖特基二极管
  • 時科推出高性能·高可靠—時科SiC肖特基二极管  2025-07-09
    在新能源、工业电源和高效能系统日益追求高频、高效、高温可靠性的时代,碳化硅(SiC)器件正逐渐成为电力电子的核心。時科深耕第三代半导体领域,倾力打造出全新一代650V、15A碳化硅肖特基二极管——Q-SSC1565-TF,全面助力高性能功率系统升级换代。
  • Nexperia率先推出适用于48V电动汽车通信网络的ESD保护二极管
  • Nexperia率先推出适用于48V电动汽车通信网络的ESD保护二极管  2025-07-02
    Nexperia今日推出专为保护48V汽车数据通信网络设计的ESD二极管,旨在使其免受静电放电(ESD)事件的破坏性影响。这一全新的产品组合包含六款器件,全部通过AEC-Q101认证,性能可靠,可满足日益普遍的48V板网对更高最大反向工作电压(VRWM)的要求。该系列最终能节省PCB空间与系统成本,同时在更高数据速率下保持信号完整性。
  • 业界领先的超低VF整流桥系列最大结温温度可达175°C
  • 业界领先的超低VF整流桥系列最大结温温度可达175°C  2025-06-30
    PANJIT推出具备175°C (TJ) 高结温温度能力的HULV超低VF桥式整流器系列,持续引领高效能功率整流技术。此系列在800V反向耐压条件下,展现业界最佳的热稳定性与导通效率,广泛应用于AI服务器、电信设备、游戏平台以及80+白金/钛金级PC电源等高功率密度系统。HULV系列采用先进的平面EPI芯片接面制程技术,并导入聚酰亚胺(polyimide)保护层设计,有效强化产品在严苛热环境下的稳定性与可靠性。
  • 英飞凌推出用于电动汽车的新一代高功率节能型 IGBT 和 RC-IGBT 芯片
  • 英飞凌推出用于电动汽车的新一代高功率节能型 IGBT 和 RC-IGBT 芯片  2025-06-18
    随着纯电动汽车(BEV)和插电式混合动力电动汽车(PHEV)销量的快速增长,电动汽车市场的发展在不断加速。预计到 2030 年,电动汽车的生产比例将实现两位数增长,从2024年的20%增长至45%左右 [1]。为满足对高压汽车IGBT芯片日益增长的需求,全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出新一代产品,包括为400 V和800 V系统设计的 EDT3(第三代电力传动系统)芯片,以及为 800 V 系统量身定制的RC-IGBT 芯片。
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