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科锐推出推出突破性GaN基固态放大器平台 2012-07-11
科锐宣布推出具有革新性功率与带宽性能的全新Ku波段40V、0.25微米碳化硅衬底氮化镓基(GaN-on-SiC)裸芯片产品系列。该创新型产品系列能够使得固态放大器替代行波管,从而提高效率和可靠性。
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岛津制作所推出全新微焦点X射线检查装置SMX-800 2012-07-11
全球分析仪器、医疗仪器等各种科学计测仪器领先专业公司岛津制作所日前宣布,推出全新微焦点X射线检查装置SMX-800,用户用指尖轻触即可实际感受到真正的高通量高效处理能力,实现了易用性、高可靠性、优异节能设计、环保措施及坚固耐用的完美结合
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瑞萨推出三款新型超级结金属氧化物场效应三极管 2012-07-10
瑞萨推出三款新型超级结金属氧化物场效应三极管),具有如下的特点:600V功率半导体器件中的导通电阻X栅极电荷,适用于高速电机驱动、DC-DC转换器和DC-AC逆变器应用。这一行业领先的低导通电阻和低栅极电压的组合平台,同时结合了快速体二极管的性能,使新型RJL60S5DPP、RJL60S5DPK和RJL60S5DPE这三款器件有助于提高家用电器电机驱动的效率,如空调等采用带逆变控制的高速电机的家电。
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科锐推出S波段GaN器件 2012-07-09
科锐推出可适用于军用和商用S 波段雷达中的高效GaN HEMT 晶体管。新型 S 波段GaN HEMT 晶体管的额定功率为60W,频率为 3.1至3.5GHz 之间,与传统Si或 GaAs MESFET 器件相比,能够提供优越的漏极效率(接近70%)。
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