包装 : 带卷（TR）

系列 : -

FET类型 : MOSFET P 通道，金属氧化物

FET功能 : 逻辑电平栅极，4.5V 驱动

漏源极电压（Vdss） : 30V

电流-连续漏极（Id）（25°C时） : 10A（Ta）

不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） : 15 毫欧 @ 10A，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值） : -

不同Vgs时的栅极电荷（Qg） : 37nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss） : 1450pF @ 10V

功率-最大值 : 1.1W

安装类型 : 表面贴装

封装/外壳 : 8-PowerSOIC（0.173，4.40mm）

供应商器件封装 : 8-SOP