包装 : 带卷（TR） 可替代的包装

系列 : DeepGATE™，STripFET™ VI

FET类型 : MOSFET N 通道，金属氧化物

FET功能 : 逻辑电平门

漏源极电压（Vdss） : 30V

电流-连续漏极（Id）（25°C时） : -

不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） : 25 毫欧 @ 3A，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值） : 1V @ 250µA（最小）

不同Vgs时的栅极电荷（Qg） : 3.6nC @ 4.5V

不同Vds时的输入电容（Ciss） : 283pF @ 24V

功率-最大值 : 2.4W

安装类型 : 表面贴装

封装/外壳 : 6-PowerWDFN

供应商器件封装 : PowerFlat™（2x2）