包装 : 带卷（TR）
系列 : SIPMOS®
FET类型 : MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能 : 耗尽模式
漏源极电压（Vdss） : 200V
电流-连续漏极（Id）（25°C时） : 660mA（Ta）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） : 1.8 欧姆 @ 660mA，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值） : 1V @ 400µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg） : 14nC @ 5V
不同Vds时的输入电容（Ciss） : 430pF @ 25V
功率-最大值 : 1.8W
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装 : PG-SOT223-4
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