包装 : 带卷（TR）

系列 : -

FET类型 : MOSFET P 通道，金属氧化物

FET功能 : 逻辑电平栅极，1.8V 驱动

漏源极电压（Vdss） : 12V

电流-连续漏极（Id）（25°C时） : 7A（Ta）

不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） : 59 毫欧 @ 3.5A，1.8V

不同Id时的Vgs（th）（最大值） : -

不同Vgs时的栅极电荷（Qg） : 11.3nC @ 4.5V

不同Vds时的输入电容（Ciss） : 1260pF @ 10V

功率-最大值 : 2.5W

安装类型 : 表面贴装

封装/外壳 : 6-WFDFN 裸露焊盘

供应商器件封装 : 6-HUSON（2x2）