包装 : 带卷（TR） 可替代的包装
系列 : -
FET类型 : MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能 : 逻辑电平栅极，2.5V 驱动
漏源极电压（Vdss） : 60V
电流-连续漏极（Id）（25°C时） : 250mA（Ta）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） : 2.4 欧姆 @ 250mA，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值） : 2.3V @ 1mA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg） : -
不同Vds时的输入电容（Ciss） : 15pF @ 25V
功率-最大值 : 200mW
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : SC-70，SOT-323
供应商器件封装 : UMT3
在微信里搜索“Chinaecnet”或
在手机上扫描二维码
添加中电网微信账号
