包装 : 管件
系列 : HiPerFET™
FET类型 : MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能 : 标准
漏源极电压（Vdss） : 200V
电流-连续漏极（Id）（25°C时） : 70A（Tc）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） : 40 毫欧 @ 35A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值） : 6.5V @ 4mA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg） : 67nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss） : 3150pF @ 25V
功率-最大值 : 690W
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA
供应商器件封装 : TO-268
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