包装 : 带卷（TR） 可替代的包装
系列 : -
FET类型 : MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能 : 逻辑电平栅极，2.5V 驱动
漏源极电压（Vdss） : 50V
电流-连续漏极（Id）（25°C时） : 100mA（Ta）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） : 7.8 欧姆 @ 50mA，4V
不同Id时的Vgs（th）（最大值） : -
不同Vgs时的栅极电荷（Qg） : 1.57nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss） : 6.6pF @ 10V
功率-最大值 : 250mW
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装 : 3-CP
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