包装 : 散装 可替代的包装

系列 : -

FET类型 : MOSFET N 通道，金属氧化物

FET功能 : 耗尽模式

漏源极电压（Vdss） : 500V

电流-连续漏极（Id）（25°C时） : 30mA（Tj）

不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） : 1000 欧姆 @ 500µA，0V

不同Id时的Vgs（th）（最大值） : -

不同Vgs时的栅极电荷（Qg） : -

不同Vds时的输入电容（Ciss） : 10pF @ 25V

功率-最大值 : 740mW

安装类型 : 通孔

封装/外壳 : TO-226-3，TO-92-3 标准主体

供应商器件封装 : TO-92-3