包装 : 管件 可替代的包装

系列 : C3M™

FET类型 : SiCFET N 通道，碳化硅

FET功能 : 标准

漏源极电压（Vdss） : 900V

电流-连续漏极（Id）（25°C时） : 35A（Tc）

不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） : 78 毫欧 @ 20A，15V

不同Id时的Vgs（th）（最大值） : 2.1V @ 5mA

不同Vgs时的栅极电荷（Qg） : 30nC @ 15V

不同Vds时的输入电容（Ciss） : 660pF @ 600V

功率-最大值 : 113W

安装类型 : 表面贴装

封装/外壳 : TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA

供应商器件封装 : D2PAK（7-Lead）