包装 : 带卷（TR）

系列 : -

FET类型 : MOSFET P 通道，金属氧化物

FET功能 : 逻辑电平门

漏源极电压（Vdss） : 40V

电流-连续漏极（Id）（25°C时） : 100A（Tc）

不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） : 3.5 毫欧 @ 50A，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值） : 2.5V @ 1mA

不同Vgs时的栅极电荷（Qg） : 320nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss） : 15100pF @ 10V

功率-最大值 : 1.8W

安装类型 : 表面贴装

封装/外壳 : TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB

供应商器件封装 : TO-263