包装 : *可替代的包装

系列 : -

FET类型 : MOSFET N 通道，金属氧化物

FET功能 : 标准

漏源极电压（Vdss） : 20V

电流-连续漏极（Id）（25°C时） : 6.8A（Ta）

不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） : 20 毫欧 @ 6.8A，4.5V

不同Id时的Vgs（th）（最大值） : 900mV @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷（Qg） : 20.2nC @ 4.5V

不同Vds时的输入电容（Ciss） : 1240pF @ 10V

功率-最大值 : 510mW

安装类型 : *

封装/外壳 : *

供应商器件封装 : *