产品展示

视频展示

新品展示

Intersil推出专利双极工艺技术的运算放大器 ISL282072009-08-19

利用Intersil创新的专利精密双极工艺技术，新的ISL28207为仪表、工业和数据采集提供了顶级的性能

IR 推出一系列150V和200V HEXFET功率MOSFET2009-08-18

功率MOSFET 为开关模式电源 （SMPS） 、不断电系统 （UPS）、反相器和DC马达驱动器等工业应用提供极低的闸电荷 （Qg）。  

Crouzet公司推出具有四象限功能的独立控制器BDE402009-08-10

BDE40控制器可用于大部分三相无刷霍尔效应电机，广泛应用于各种运动控制。该器件具有四象限性能和负载电阻保护。 

Linear推出100V高输入可生成正负稳压输出的电压 DC/DC 控制器LT37582009-08-06

器件用于升压、反激式、SEPIC 和负输出电源应用，能够产生正或负的稳定输出电压。 

Fujitsu公司推出SuperSpeed USB 3.0到SATA的桥接芯片MB86C30A2009-08-04

MB86C30A据说是首个可用的SuperSpeed USB 3.0到串行-ATA的桥接IC，支持USB 3.0最高数据传输速率为超快5Gbit/s，还包括一个加密/解密引擎

Panasonic公司推出适合电源管理应用的MOSFET系列2009-08-04

MTMF8233硅n沟道MOSFET适用于电源管理，应用在笔记本电脑和锂离子电池保护电路。

Ittcannon公司推出符合MIL-DTL-38999军用标准的连接器389992009-08-04

坚固耐用的38999系列连接器支持高达128个端子，符合MIL-DTL-38999系列I、II和III标准。

Vishay推出具有低导通电阻的N沟道MOSFET器件SiR494DP2009-07-30

SiR494DP在10V和4.5V栅极驱动下的最大导通电阻分别为1.2mΩ和1.7mΩ，皆为业界最佳；器件的导通电阻与栅电荷乘积只有85nC，为业内最佳

Finder公司推出提高安全水准的继电器接口模块2009-07-22

48.12符合EN50205 B类标准，具有强行引导转换接触(一个常开(NO)和一个常闭(NC))，使其能确切地监测开关接触状态和邻近接触间的分离，以消除出现飞弧的任何风险

NXP推出全球首款N通道、1毫欧以下25V MOSFET产品2009-07-14

PSMN1R2-25YL是迄今为止采用Power-SO8封装（无损耗封装：LFPAK）中拥有最低导通电阻RDSon的MOSFET，也是恩智浦现有MOSFET系列的延伸。