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TI推出降低上表面热阻的功率MOSFET2010-01-18

采用创新封装手段的DualCool NexFET 功率 MOSFET在标准封装尺寸下将散热效率提升 80%、允许电流提高 50%

Toshiba推出 低功率栅极驱动光耦合器TLP358/58HF2010-01-14

Toshiba推出了一系列的超低功耗光耦合隔离器，设计用来驱动需要输出电流高达±6.0A的IGBT和功率MOSFET。

TDK推出4:1输入范围的30W DC/DC转换器PDX30W2010-01-07

PDX30W系列30W dc/dc转换器采用屏蔽金属材料封装，尺寸为2”x1”x0.4”，9~36Vdc或18~75Vdc的输入范围为4：1。

MARTEK POWER推出宽温度范围的2W DC/DC转换器200UFR2010-01-05

200UFR 2W dc/dc转换器采用SIP封装，尺寸为0.86”x0.36”x0.49”，工作温度范围为-40°C~+85°C。 

Cissoid推出主要面向功率MOSFET的高温驱动器HYPERION2010-01-05

HYPERION是高侧和低侧驱动器，工作温度范围为–55°~225°C。

EMCOHighVoltage推出适合便携式应用的HV输出转换器ULP系列2009-12-31

ULP系列dc/dc转换器适合便携式应用，输出电压为0~5,000Vdc，功耗不到2mW，两节AALi电池可运行4,500小时。

CAMBRIDGE公司推出节省空间的真75欧姆BNC2009-12-30

CAMBRIDGE公司最新推出的真75欧姆小型BNC连接器可增加多达1/3的布线密度，符合3GSDI视频要求。

Maxim推出16位、8通道 同时采样ADC MAX110462009-12-25

Maxim推出8通道、16位、同时采样ADC MAX11046。器件采用独特的架构(专利申请中)产生一路噪声极低的片内负电压。

Onsemi推出符合汽车标准的自保护低端MOSFET驱动IC2009-12-21

NCV840x系列器件采用 SOT-223、DPAK及SOIC8封装，在严格的汽车及工业应用环境中提供强固及可靠的驱动功能

Inphi 推出提高DDR3系统容量和速度的隔离存储缓冲器iMB01-GS022009-12-17

iMB01-GS02隔离存储缓冲器是单芯片，通过缓冲数据和寻址线降低存储器控制器上负载。