近日，在全球拥有超过30,000名机构和个人会员的MIDI协会（MIDI Association）等机构正式公布了“2025年度MIDI创新奖”获奖名单。Azoteq凭借其完整运动键位传感器模块（Full Motion Key Position Sensor Module）荣获MIDI 2.0创新奖，这是Azoteq创领同侪的电感式压力传感器及应用组件方案再一次获得的全球性认可。
>>详情近日，国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台（简称"国创中心"）在氮化镓/碳化硅集成领域取得重大技术突破，成功研制出商用8英寸4°倾角4H-SiC衬底上的高质量氮化铝镓/氮化镓异质结构外延。这一突破性成果标志着我国在第三代半导体材料领域取得重要进展，为相关产业链上市公司带来新的发展机遇。
>>详情纳微半导体(NVTS.US)宣布在研发先进的800伏直流(800 VDC)氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)功率器件方面取得进展，以支持英伟达(NVIDIA)最新发布的用于下一代人工智能(AI)计算平台的800高压直流(HVDC)架构。受此消息提振，纳微半导体周一美股收涨21.14%，盘后再涨超30%。
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在AI技术飞速发展的当下，数据中心作为算力枢纽，正面临着日益严峻的能耗挑战。为深入了解行业应对之策，中电网特别专访了安森美高级现场应用工程师陈熙，围绕AI数据中心的能耗困境、安森美的技术解决方案、供应链保障及未来研发方向展开深入探讨。
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宁德时代昨晚宣布与京东集团签署战略合作协议。根据协议，双方将在电池消费市场全渠道服务、绿色运力、物流仓配及零碳园区、工业品供应链数智化、行政物资及员工综合服务、数据中心、海外业务发展伴随式服务等多个领域深度合作。
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国家发展改革委等部门发布关于印发《电动汽车充电设施服务能力“三年倍增”行动方案（2025—2027 年）》（注：下称《行动方案》）的通知。
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全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（总部位于德国诺伊比贝格，以下简称“英飞凌”）今日宣布，与全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）就建立SiC功率器件封装合作机制签署了备忘录。双方旨在对应用于车载充电器、太阳能发电、储能系统及AI数据中心等领域的SiC功率器件封装展开合作，推动彼此成为SiC功率器件特定封装的第二供应商。
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近日，我国在8英寸碳化硅领域多番突破，中国电科48所8英寸碳化硅外延设备再升级，三义激光首批碳化硅激光设备正式交付，天岳先进8英寸碳化硅衬底批量销售，上海汉虹成功制备8英寸碳化硅晶体。8英寸碳化硅时代已呼啸而来，未来将会有更多厂商带来新的产品和技术，我们拭目以待。
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电力电子器件高度依赖于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）等半导体材料。虽然硅一直是传统的选择，但碳化硅器件凭借其优异的性能与可靠性而越来越受欢迎。相较于硅，碳化硅具备多项技术优势（图1），这使其在电动汽车、数据中心，以及直流快充、储能系统和光伏逆变器等能源基础设施领域崭露头角，成为众多应用中的新兴首选技术。
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深耕于高压集成电路高能效功率转换领域的知名公司Power Integrations近日发布一份新的技术白皮书，详解其PowiGaN™氮化镓技术能为下一代AI数据中心带来的显著优势。这份白皮书发布于圣何塞举行的2025年开放计算项目全球峰会(2025 OCP Global Summit)，其中介绍了1250V和1700V PowiGaN技术适用于800VDC供电架构的功能特性。峰会上，NVIDIA还就800VDC架构的最新进展进行了说明。Power Integrations正与NVIDIA合作，加速推动向800VDC供电和兆瓦级机架的转型。
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照明与传感创新的全球领导者艾迈斯欧司朗（SIX：AMS）近日宣布，荣膺荣耀“创新质量保障奖”，成为本年度唯一获此殊荣的传感器供应商。该奖项充分肯定了艾迈斯欧司朗在智能手机光学传感领域的技术领先性、卓越质量体系以及高效的端到端服务能力。
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