NXP MRFX1K80H晶体管 LDMOS技术 射频功率设计
NXP Semiconductors的MRFX1K80H LDMOS 晶体管是MRFX系列射频 (RF) MOSFET晶体管，此系列器件采用了最新的LDMOS（橫向扩散金属氧化物半导体）技术。MRFX1K80H运用LDMOS技术来提高宽频应用的输出功率，同时维持适当的输出阻抗。
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薄膜电容器 爱普科斯 (EPCOS)电机运行 TDK集团 MotorCap B32355C *系列
TDK集团隆重推出爱普科斯 (EPCOS) 电机运行电容器新系列 MotorCap B32355C *系列，该系列电容器的设计可在100°C的高温环境下持续可靠运行。它采用具有自愈性能的金属化聚丙烯薄膜，并符合IEC60252-1标准所规定的最高安全等级S3标准。，此款耐受型电容器的额定电压为400 V AC（50/60频率）。该系列有六种不同容值的型号可供选择，电容值范围为1.5μF至5μF。此款电容已通过VDE认证，它的设计也符合IEC 60335-1标准（家电用及类似应
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Littelfuse 碳化硅MOSFET 电力电子应用 超高速切换
Littelfuse, Inc.，作为全球电路保护领域的领先企业，今日宣布推出了首个碳化硅（SiC）MOSFET产品系列，成为该公司不断扩充的功率半导体产品组合中的最新系列。 Littelfuse在3月份投资享有盛誉的碳化硅技术开发公司Monolith Semiconductor Inc.，向成为功率半导体行业的领军企业再迈出坚定一步。LSIC1MO120E0080系列具有1200V额定功率和超低导通电阻（80mΩ），是双方联手推出的首款由内部设计、开发和生产的碳化硅MOSFET。该
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TI 完全集成开关 传感器监视器 降低系统功耗 TIC12400和TIC12400－Q1
德州仪器（TI）近日推出两款多开关检测接口（MSDI）器件，与传统的分立解决方案相比，系统功耗降低多至98%。TIC12400和TIC12400－Q1是首款与电阻编码开关直接相连的开关和传感器监视器。
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亚德诺半导体 μModule 稳压器 降压型稳压器LTM8063
亚德诺半导体 (Analog Devices, Inc．，简称 ADI) 旗下凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 40VIN、2A μModule(电源模块)降压型稳压器LTM8063，器件采用了纤巧型 6．25mm × 4mm BGA 封装。该封装尺寸比现有的同等产品小 75%。该解决方案采用两个 0805 尺寸电容器和两个 0603 尺寸电阻器，占板面积仅为 70mm2。Silent Switcher®架构最大限度降低了 EMI 辐射，从而使 LTM8063 达到了 CISPR 22 Class B EMC 标准
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XP Power 15 W和20 W DC－DC转换器 JTD15 和 JTD20系列
XP Power 正式宣布推出机板型DC－DC转换器JTD15 和 JTD20系列，可满足对价格敏感，需要超紧凑尺寸和超宽输入范围的应用。该产品可广泛适用于许多领域，如仪器仪表，广播，网络，电信和数据通讯。
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Vishay 同步降压稳压器 5mm × 5mm MLP55－27L封装 SiC46×
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE）宣布，推出输入电压为4.5V～60V的新款2A～10A器件－－－SiC46×，扩充其microBUCK同步降压稳压器。Vishay Siliconi× SiC46×器件十分节省空间，在小尺寸MLP55－27L封装内组合了高性能N沟道沟槽式MOSFET和一颗控制器，具有高效率和高功率密度，并提高了长期可靠性，简化了热管理。
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μModule稳压器 N＋1 冗余 亚德诺半导体 LTM4645电源
亚德诺半导体 (Analog Devices, Inc.，简称 ADI) 旗下凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 25A 降压型μModule (电源模块) LTM4645，该器件能够在多个独立器件 (N) 之间均分电流，其中至少一个 LTM4645 用作备份 (＋1)，以便当 N＋1 配置中一个器件检测到故障并必须断接时确保电源可用性。
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江苏多维科技 Sensors Midwest TMR2105 磁传感器
MDT 的 TMR 传感器创造了高灵敏度、低噪声、低功耗和大动态范围的业界最佳记录，使 TMR 技术获得广泛的应用
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Vicor 母线转换器模块 (BCM) 阵营新增一款固定比率超高电压母线转换器（UHV BCM）。最新的 700V K＝1／16 BCM 提供 1.75 kW 的输出功率及 97%的 峰值效率，功率密度高达 700W／in³。该器件采用具有良好散热性的 4414（111 毫米 x 36 毫米 x 9.3 毫米）VIA 封装，支持底座安装或电路板安装选项，能承受 4.3 kV 的隔离电压。这款坚固的 VIA 封装还集成 PMBus™ 通信、EMI 滤波以及电压瞬态保护功能。这些高度灵活的模块可轻
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RDA LTE射频功放 滤波器集成芯片 RPF5401 中移动B41高功率终端
2017年9月25日，作为中国领先的射频及混合信号芯片供应商，锐迪科微电子（以下简称“RDA”）今日宣布推出首款国产LTE射频功率放大器与滤波器集成产品RPF5401，助力中移动B41高功率终端（以下简称“HPUE”）的普及。
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